[发明专利]静电破坏保护元件、静电破坏保护电路、半导体装置及制法

权利要求书

1.一种静电破坏保护元件，具备：

第二导电型的源极区域(4)及漏极区域(5)，以夹持沟道区域(3) 的方式隔着规定间隔形成于第一导电型的半导体基板(1)的表面；

第一导电型的阱区域(7)，其形成为覆盖所述源极区域；

第二导电型的嵌入层(8)，其形成在所述第一导电型的阱区域的下方；

第二导电型的第一杂质区域(9a)，其形成为在所述漏极区域与所述 嵌入层之间构成电流路径；和

第二导电型的第二杂质区域(9b)，其对所述阱区域和所述半导体基 板进行分离，

所述第二导电型的第一杂质区域被配置为与所述第二导电型的第二 杂质区域邻接并接触。

2.根据权利要求1所述的静电破坏保护元件，其中，

所述第一杂质区域形成为覆盖所述漏极区域，

所述第一杂质区域的杂质浓度比所述第二导电型的漏极区域的杂质 浓度还低。

3.根据权利要求2所述的静电破坏保护元件，其中，

所述第一杂质区域的所述沟道区域侧的端部(9c)被配置在与所述漏 极区域的所述沟道区域侧的端部大致相同的位置处。

4.一种静电破坏保护电路，具备：

静电破坏保护元件(50)；和

与所述静电破坏保护元件电连接的电容元件(23)及电阻元件(24) 中的至少一个，

其中，所述静电破坏保护元件(50)包括：第二导电型的源极区域(4) 及漏极区域(5)，以夹持沟道区域(3)的方式隔着规定间隔形成于第一 导电型的半导体基板(1)的表面；第一导电型的阱区域(7)，其形成为 覆盖所述源极区域；第二导电型的嵌入层(8)，其形成在所述第一导电型 的阱区域的下方；第二导电型的第一杂质区域(9a)，其形成为在所述漏 极区域与所述嵌入层之间构成电流路径；和第二导电型的第二杂质区域 (9b)，其对所述阱区域和所述半导体基板进行分离，

所述第二导电型的第一杂质区域被配置为与所述第二导电型的第二 杂质区域邻接并接触。

5.根据权利要求4所述的静电破坏保护电路，其中，

所述第一杂质区域形成为覆盖所述漏极区域，

所述第一杂质区域的杂质浓度比所述第二导电型的漏极区域的杂质 浓度还低。

6.根据权利要求5所述的静电破坏保护电路，其中，

所述第一杂质区域的所述沟道区域侧的端部(9c)被配置在与所述漏 极区域的所述沟道区域侧的端部大致相同的位置处。

7.根据权利要求4所述的静电破坏保护电路，其中，

所述静电破坏保护电路还具备电源布线(21)及接地布线(22)，

所述静电破坏保护元件(50)还包括用于固定所述阱区域的电位的阱 电位固定端子(6)，

所述电源布线、所述电容元件的一个端子及所述静电破坏保护元件的 漏极区域电连接，

所述电容元件的另一端子、所述电阻元件的一个端子、所述静电破坏 保护元件的栅电极(11)及所述静电破坏保护元件的阱电位固定端子电连 接，

所述接地布线、所述电阻元件的另一端子及所述静电破坏保护元件的 源极区域电连接。

8.根据权利要求4所述的静电破坏保护电路，其中，

所述静电破坏保护电路还具备电源布线(21)及接地布线(22)，

所述静电破坏保护元件(50)还包括用于固定所述阱区域的电位的阱 电位固定端子(6)，

所述电源布线、所述电容元件的一个端子及所述静电破坏保护元件的 漏极区域电连接，

所述电容元件的另一端子、所述电阻元件的一个端子及所述静电破坏 保护元件的栅电极电连接，

所述接地布线、所述电阻元件的另一端子、所述静电破坏保护元件的 源极区域、及所述静电破坏保护元件的阱电位固定端子电连接。