[发明专利]制造包括衬底和沉积在衬底的一个表面上的层的结构的方法

权利要求书

1.一种制造用于电子学、光学、光电子学或光伏学的结构(1) 的方法，所述结构(1)包括衬底(10)和通过将材料沉积在所述衬底 (10)的一个表面上而形成的层(20)，其特征在于该方法包括以下步 骤：

-形成包括脆化区(11)的脆化衬底(12)，该脆化区(11)一方 面限定了所述衬底(10)，另一方面限定了剩余物，

-在所述脆化衬底(12)的两个表面的每一个上沉积所述材料的层 (20，21)，

-分裂所述脆化衬底(12)，

从而形成所述结构(1)，其中衬底(10)的一表面(1B)被沉积 的材料层(20)覆盖，而其另一表面(1A)暴露。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于分裂的热预算比沉积 提供的热预算大。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于沉积步骤在分裂步骤 之前进行。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于分裂的热预算比沉积 提供的热预算小。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于分裂步骤在沉积步骤 期间进行。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于脆化衬底(12)被固 定从而使分裂的部分在沉积步骤期间彼此不分开。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于脆化衬底(12)在沉 积步骤期间被水平地固定。

8.根据权利要求1到7中的任意一项所述的方法，其特征在于分 裂步骤在所述层(20，21)的材料的沉积腔中进行。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于该方法包括以下连续 的步骤：

-在脆化衬底(12)的两个表面上沉积无定形形式的材料(20)，

-分裂脆化衬底(12)，

-在适于使所述材料(20)结晶的温度下退火。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于通过在衬底(12) 中注入离子物质来形成所述脆化区(11)。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于衬底(10)是复合 衬底，其包括支撑衬底(10C)和籽晶层(10D)。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述衬底(10)包 括以下材料中的一种：Al₂O₃，ZnO，III/V族材料及其三元和四元合金， Si，SiC，多晶SiC，钻石，Ge或其合金。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积的材料选自 以下材料：无定形Si，单晶Si，多晶Si，Ge，SiC，多晶SiC，无定形 SiC，III/V族材料及其三元和四元合金，Al₂O₃，SiO₂，Si₃N₄或钻石。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于衬底(10)是SopSiC 或SiCopSiC类型的复合结构，以及沉积材料的层(20)是由多晶硅构 成的。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于在所述结构(1)的所 述衬底(10)的所述暴露的表面(1A)上实现分子束外延生长。