[发明专利]半导体发光器件及使用它的半导体发光装置以及该半导体发光装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，是将氮化物半导体层层叠于设在单晶基板上 的主面上，再切割所述单晶基板而形成的，呈长方形，其特征在于：

长边方向的侧面即长边侧面是沿与所述单晶基板的解理面不同的方向 切割而形成的，

在所述长边侧面中的所述长边侧面厚度方向上的一半以上的区域存在 微小凹凸。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述半导体发光器件的长边与短边之比例在2以上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述单晶基板为六方晶半导体，所述主面为(0001)即c面，所述长 边侧面与所述单晶基板的m面成5°以上且55°以下的角度。

4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述长边侧面与所述单晶基板的m面成5°以上且25°以下的角度。

5.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述单晶基板为六方晶半导体，所述主面为(1-100)即m面，所述长 边侧面与所述单晶基板的c面成5°以上且175°以下的角度。

6.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述长边侧面与所述单晶基板的c面成5°以上且85°以下的角度。

7.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述长边侧面与所述单晶基板的c面成5°以上且60°以下的角度。

8.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述单晶基板为六方晶半导体，所述主面为(11-20)即a面，所述长 边侧面与所述单晶基板的c面或m面成5°以上且85°以下的角度。

9.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述单晶基板是从氮化物化合物半导体、碳化硅半导体及氧化锌系列 化合物半导体中选出的任一种半导体的单晶基板。

10.一种半导体发光装置，其特征在于：

是用权利要求1或2所述的半导体发光器件构成的。

11.根据权利要求10所述的半导体发光装置，其特征在于：

所述半导体发光装置是将具有n电极和p电极的化合物半导体层形成 在基板的一个面上，并通过凸块将该基板固定在副安装部件上而构成的，

p侧凸块的数量在两个以上，

至少一个p侧凸块配置在与n侧凸块相同的长边侧面一侧，至少一个 p侧凸块配置在与所述n侧凸块相反一侧的长边侧面一侧。

12.一种长方形半导体发光装置的制造方法，其特征在于：

包括：

在六方晶半导体单晶基板上形成n型半导体层、活性层及p型半导体 层的工序，

在所述六方晶半导体单晶基板上的一部分区域除去所述活性层和p型 半导体层，来使所述n型半导体层或所述六方晶半导体单晶基板露出的工 序，

在所述露出的n型半导体层或所述六方晶半导体单晶基板、和所述p 型半导体层上分别形成n电极和p电极的工序，以及

以让所述六方晶半导体单晶基板的不是解理面的面成为长边侧面的方 式通过激光划线形成切断槽的工序，

在形成所述切断槽的工序中，形成深度为所述六方晶半导体单晶基板 的厚度的5％到50％的值的切断槽。

13.一种长方形半导体发光装置的制造方法，其特征在于，

包括：

在具有n型导电性的六方晶半导体单晶基板上形成n型半导体层、活 性层及p型半导体层的工序，

在所述六方晶半导体单晶基板的背面、和所述p型半导体层上分别形 成n电极和p电极的工序，以及

以让所述六方晶半导体单晶基板的不是解理面的面成为长边侧面的方 式通过激光划线形成切断槽的工序，

在形成所述切断槽的工序中，形成深度为所述六方晶半导体单晶基板 的厚度的5％到50％的值的切断槽。