[发明专利]半导体发光器件及使用它的半导体发光装置以及该半导体发光装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种化合物半导体层层叠在单晶基板上而构成的半 导体发光器件及使用它的半导体发光装置。

背景技术

作为提高半导体发光器件的取光效率来谋求提高亮度的技术， 有专利文献1中所记载的技术。专利文献1中所记载的氮化镓系列 化合物半导体器件是基板的侧面或层叠在该基板上的氮化镓系列化 合物半导体器件的侧面通过蚀刻形成为凹凸形状而构成的。

在这样将出射光的出射面设为凹凸面的情况下，与将该出射面 设为平滑面的情况相比能够减弱来自内部的光在该表面上造成全内 反射的程度，因而能够谋求提高取光效率。

专利文献1：日本公开专利公报特开2004-6662号公报。

发明内容

-发明要解决的技术问题-

然而，因为专利文献1中所记载的氮化镓系列化合物半导体器 件是通过蚀刻将基板的侧面或层叠在该基板上的氮化镓系列化合物 半导体的侧面形成为凹凸形状而构成的，所以在该氮化镓系列化合 物半导体器件的制造工序中，需要在将氮化镓系列化合物半导体层 叠在基板上后追加进行蚀刻工序。这样，就不但制造工序烦杂，而 且制造成本也增加。此外，在基于该方法的情况下，蚀刻深度越深， 凹凸就越变小。因此，难以在整个面上形成凹凸形状。

本发明，正是为解决所述问题而研究开发出来的。其目的在于： 提供能够在不增加制造工序的状态下在半导体发光器件的整个侧面 上形成凹凸，来谋求提高取光效率的半导体发光器件及使用它的半 导体发光装置以及该半导体发光装置的制造方法。

-用以解决技术问题的技术方案-

本发明提供一种半导体发光器件，该半导体发光器件是将化合 物半导体层层叠在单晶基板上，再将所述单晶基板切割成一个个芯 片而形成的。已切割的单晶基板的侧面由与所述单晶基板的解理面 不同的面形成。

特别是本发明的半导体发光器件，对层叠有化合物半导体的单 晶基板进行切割而成的一个个芯片呈长方形，长方形中比较长的边 的侧面不是解理面。

-发明的效果-

根据本发明，只要当在制造工序中切割单晶基板时将单晶基板 的侧面设定为与解理面不同的面就可以，因而不需要为了提高取光 效率而追加新制造工序。因此，能够以不增加制造成本的方式制造 出亮度效率很高的半导体器件。

此外，将对单晶基板进行切割而成的一个个芯片设为长方形， 并将该长方形中比较长的边的侧面设为不是解理面的面。因此，即 使长方形中比较短的边的侧面是解理面，光造成全内反射，也能够 将整个半导体发光器件的取光效率设为比所有侧面由解理面形成的 情况下的取光效率高的值。

附图说明

图1是显示本发明的实施方式所涉及的半导体发光器件 的剖视图。

图2是显示本发明的实施方式所涉及的半导体发光器件 的俯视图。

图3是显示以c面作为主面时的、本发明的实施方式所涉 及的晶片以及形成在该晶片上的化合物半导体层及电极的图。

图4是显示以c面作为主面时的、本发明的实施方式所涉 及的晶片与解理面之间的关系的立体图。

[图5是显示以a面作为主面时的、本发明的实施方式所 涉及的晶片以及形成在该晶片上的化合物半导体层及电极的图。

图6是显示以a面作为主面时的、本发明的实施方式所 涉及的晶片与解理面之间的关系的立体图。

图7是显示以m面作为主面时的、本发明的实施方式所 涉及的晶片以及形成在该晶片上的化合物半导体层及电极的图。

图8是显示以m面作为主面时的、本发明的实施方式所 涉及的晶片与解理面之间的关系的立体图。

图9是显示将本发明中的半导体发光器件安装在副安装 部件上而构成的半导体发光装置的图。

图10是显示将本发明中的半导体发光器件安装在副安 装部件上而构成的、其他实施方式中的半导体发光装置的图。

图11是显示将本发明中的半导体发光器件安装在副安 装部件上而构成的、其他实施方式中的半导体发光装置的图。

图12是显示将本发明中的半导体发光器件安装在副安 装部件上而构成的、其他实施方式中的半导体发光装置的图。