[发明专利]信息处理系统

权利要求书

1.一种信息处理系统，包括：

主存储器，操作为存储数据；以及

控制电路，该控制电路操作所述主存储器，所述主存储器包括

非易失性半导体存储器设备，包含多个字线，与所述多个字线交 叉的多个位线，以及电可擦除可编程非易失性存储器基元，所述存储器基 元位于所述多个字线和位线的每个交叉处，且均使用可变电阻器，以及

DRAM，被设置为在所述控制电路与所述非易失性半导体存储器 设备之间的高速缓存存储器，

其中

所述非易失性半导体存储器设备

被划分为多个可独立存取的基元阵列单元，并且

具有多个页，所述页的每个包括分别以特定数目属于不同的所述 基元阵列单元的多个所述存储器基元；并且

所述非易失性半导体存储器设备

具有刷新模式，该刷新模式操作为以所述页为单位读取批数据然 后以所述页为单位重写所述批数据；并且

在所述刷新模式期间，对所述页之一中包括的所述多个存储器基 元一致地进行编程和擦除。

2.根据权利要求1的信息处理系统，其中

所述控制电路基于对所述非易失性半导体存储器设备的存取数目以所 述刷新模式激活所述非易失性半导体存储器设备。

3.根据权利要求1的信息处理系统，其中

所述控制电路基于与FAT区域有关的信息以所述刷新模式激活所述 非易失性半导体存储器设备。

4.根据权利要求1的信息处理系统，其中

所述非易失性半导体存储器设备具有误差检验和修正的ECC功能，

如果基于读取的数据中的数据误差检验和修正结果来修正错误，所述 控制电路以所述刷新模式激活所述非易失性半导体存储器设备。

5.根据权利要求2的信息处理系统，其中

对所述非易失性半导体存储器设备的存取数目被存储在所述非易失性 半导体存储器设备中。

6.根据权利要求2的信息处理系统，其中

所述非易失性半导体存储器设备操作为，在所述刷新模式中，从所述 页之一读取所述批数据，以及将所述批数据重写到所述页之一中。

7.一种信息处理系统，包括：

非易失性半导体存储器设备，所述非易失性半导体存储器设备包含多 个字线，与所述多个字线交叉的多个位线，以及电可擦除可编程非易失性 存储器基元，所述存储器基元位于所述多个字线和位线的每个交叉处，且 均使用可变电阻器；以及

控制电路，该控制电路操作所述非易失性半导体存储器设备，

其中

所述非易失性半导体存储器设备

被划分为多个可独立存取的基元阵列单元，并且

具有多个页，所述页的每个包括分别以特定数目属于不同的所述 基元阵列单元的多个所述存储器基元；并且

所述非易失性半导体存储器设备

具有刷新模式，该刷新模式操作为以所述页为单位读取批数据然 后以所述页为单位重写所述批数据；并且

在所述刷新模式期间，对所述页之一中包括的所述多个存储器基 元一致地进行编程和擦除，

所述控制电路基于对所述非易失性半导体存储器设备的存取数目以所 述刷新模式激活所述非易失性半导体存储器设备。

8.根据权利要求7的信息处理系统，其中

对所述非易失性半导体存储器设备的存取数目被存储在所述非易失性 半导体存储器设备中。

9.根据权利要求7的信息处理系统，其中

所述非易失性半导体存储器设备操作为，在所述刷新模式中，从所述 页之一读取所述批数据，以及将所述批数据重写到所述页之一中。