[发明专利]高电压半导体器件

权利要求书

1.一种用于高栅极电压应用的半导体器件，所述器件包括单元的阵 列，每个单元包括衬底区域中的多个电介质区域、位于所述电介质区域 之间的一个或多个半导体区域、以及位于所述电介质区域上并在所述电 介质区域上延展的侧面中的一个或多个导电延展部分，其中，所述一个 或多个延展部分通过电介质区域在延展部分边缘与电介质边缘之间的一 部分，与所述一个或多个半导体区域进行电容性交互，所述器件还包括 周围的电介质区域和在周围的电介质区域上的外侧放置的额外的导电延 展部分。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述器件是晶体管、二 极管、双极性晶体管、MOSFET或IGBT。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，包括晶体管，该晶体管包括 栅极、源极和漏极。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述晶体管还包括延展 漏极。

5.根据权利要求1-4之一所述的半导体器件，其中，导电延展部分 具有矩形层的形式，或者在与延展部分垂直的方向上具有渐缩层的形式， 其中渐缩层在器件的漏极区域更小。

6.根据权利要求1-4之一所述的半导体器件，其中，电介质区域在 与延展部分垂直的方向上渐缩，其中，渐缩的电介质区域在器件的漏极 区域更小。

7.根据权利要求1-4之一所述的半导体器件，其中，导电延展部分 与栅极一体形成，或者其中，延展部分与源极相连或与另一独立的电压 端子相连。

8.根据权利要求1-4之一所述的半导体器件，其中，半导体区域包括 栅极、漏极、源极、以及衬底区域中的电介质，其中，栅极形成在电介 质区域上，并且通过电介质区域位于栅极边缘和一个或多个相对半导体 区域边缘之间的一部分而与半导体区域分离。

9.根据权利要求1-4之一所述的半导体器件，其中，衬底区域中的电 介质包括浅沟槽隔离STI区域。

10.根据权利要求1-9之一所述的半导体器件的使用，使用在高电压 应用中，其中，需要高于1V的电压。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的使用，其中，需要高于10V 的电压。

12.根据权利要求1-9之一所述的半导体器件的使用，使用在如下方 面：芯片、电压调节器、DC:DC转换器、存储器驱动电路、固态照明、 功率放大器、MEMS驱动电路、晶体管、二极管、MOSFET、IGBT及其 组合。

13.一种包括根据权利要求1-9之一所述的半导体器件的器件。

14.根据权利要求13所述的器件，其中所述器件是以下之一：芯片、 电压调节器、DC:DC转换器、存储器驱动电路、固态照明、功率放大器、 MEMS驱动电路、晶体管、二极管、MOSFET、IGBT及其组合。