[发明专利]显示装置及该显示装置使用的Cu合金膜有效
| 申请号： | 200880112242.2 | 申请日： | 2008-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101828212A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 大西隆;三木绫;后藤裕史;水野雅夫;伊藤弘高;富久胜文 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | G09F9/00 | 分类号： | G09F9/00;C23C14/14;C23C14/34;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01L23/52;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 使用 cu 合金 | ||
1.一种显示装置用Cu合金膜，其在基板上与透明导电膜直接连接， 其特征在于，含有0.1～0.5原子％的Ge，且合计含有0.2～0.5原子％的选 自Ni、Fe及Co中的一种以上的元素，剩余部分是Cu和不可避免的杂质。
2.一种显示装置用Cu合金膜，其和玻璃基板直接连接，其特征在于， 含有0.2～0.5原子％的Ni、0.1～0.5原子％的Ge，合计含有0.3～1原子％ 的Ge及Ni，剩余部分是Cu和不可避免的杂质。
3.一种显示装置，其特征在于，其具备包括权利要求1或2所述的 显示装置用Cu合金膜的薄膜晶体管。
4.一种显示装置，其特征在于，在薄膜晶体管的栅电极及扫描线中 包含权利要求1或2所述的显示装置用Cu合金膜，该Cu合金膜与透明导 电膜直接连接。
5.一种显示装置，其特征在于，在薄膜晶体管的源电极及漏电极中 的至少一个电极以及信号线中包含权利要求1或2所述的显示装置用Cu 合金膜，该Cu合金膜与透明导电膜直接连接。
6.一种显示装置，其具备具有底栅型结构的薄膜晶体管，其特征在 于，在该薄膜晶体管的栅电极及扫描线中包含权利要求2所述的显示装置 用Cu合金膜，该Cu合金膜与玻璃基板直接连接。
7.一种显示装置用Cu合金膜，其特征在于，其被包含于显示装置中 的薄膜晶体管的源电极及漏电极中的至少一个电极、信号线中以及栅电极 和/或扫描线中，含有0.1～0.5原子％的Ge，且合计含有0.2～0.5原子％ 的选自Ni、Fe及Co中的一种以上的元素，剩余部分是Cu和不可避免的 杂质。
8.一种显示装置，其特征在于，在薄膜晶体管的源电极及漏电极中 的至少一个电极、信号线以及栅电极和/或扫描线中，包含权利要求7所述 的显示装置用Cu合金膜。
9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管具 有底栅型结构，在绝缘膜上具有所述源电极及漏电极中至少一个电极的一 部分。
10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述绝缘膜包含氮 化硅。
11.一种溅射靶，其用于形成Cu合金膜，其特征在于，由含有0.1～ 0.5原子％的Ge，且合计含有0.2～0.5原子％的选自Ni、Fe及Co的一种 以上的元素的Cu合金构成，剩余部分是Cu和不可避免的杂质。
12.一种溅射靶，其用于形成Cu合金膜，其特征在于，由含有0.2～ 0.5原子％的Ni、0.1～0.5原子％的Ge，合计含有0.3～1原子％的Ge及 Ni的Cu合金构成，剩余部分是Cu和不可避免的杂质。
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