[发明专利]显示装置及该显示装置使用的Cu合金膜

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置及该显示装置使用的Cu合金膜。尤其是涉及在 显示装置的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，以下有时称为TFT。)中， 与透明导电膜直接连接的显示装置用Cu合金膜、及所述薄膜晶体管使用 了该Cu合金膜的、例如液晶显示器、有机EL显示器等平板显示器(显 示装置)、以及用于所述Cu合金膜的形成的溅射靶。另外，涉及如上所述 的显示装置中的薄膜晶体管的

·源电极和/或漏电极以及信号线；和/或

·栅电极及扫描线

所使用的Cu合金膜、及所述源电极和/或漏电极以及信号线、和/或栅 电极及扫描线使用了该Cu合金膜的、所述液晶显示器、有机EL显示器 等显示装置、以及用于所述Cu合金膜的形成的溅射靶。另外，下面，以 显示装置中的液晶显示器为例及你选哪个说明，但并不是限定于此的意 图。

背景技术

例如，液晶显示器已经用于从小型的手机直到30时甚至超过100时 的大型电视机的各种领域。该液晶显示器根据像素的驱动方法分为单纯矩 阵型液晶显示器和有源矩阵性液晶显示器。其中，作为开关元件编入了 TFT的有源矩阵型液晶显示器，还可以应对画质高品质且高速的动画，因 此已成为液晶显示器的主流。

图1是表示应用于有源矩阵型液晶显示器的代表性的液晶显示器的构 成的图。参照图1说明该液晶显示器的构成及动作原理。

首先，液晶显示器100具备TFT基板、与TFT基板对向配置的对向 基板2、配置在TFT基板1和对向基板2之间作为光调制层发挥功能的液 晶层3。

TFT基板1具有配置于绝缘性基板1a上的TFT4、像素电极(透明导 电膜)5、包括扫描线及信号线的布线部6。

另外，对向基板2具有形成于玻璃板的整个面的共通电极7、配置于 与TFT基板1侧的像素电极(透明导电膜)5对向的位置的滤色板8、和 配置在与TFT基板1上的TFT4和布线部6相对位置上的遮光膜9。对向 基板2还具有用于使液晶层包含的液晶分子向规定的方向取向的取向膜 11。

液晶显示器100中，就各像素而言，在对向基板2和像素电极(透明 导电膜)5时间的电场由TFT4控制，液晶层3中的液晶分子的取向根据 该电场而变化，从而调制(遮光或透光)通过液晶层3的光。由此，控制 透过对向基板2的光的透过量并作为图像来显示。

在液晶显示器100的下部配置有反光22，该光从图1的下部通到上部。

另外，TFT基板1由经由TAB带12连结的驱动电路13及控制电路 14驱动。

图2是图1中A的要部放大图的一例。图2中，玻璃基板1a上形成 有扫描线(栅布线)25，扫描线25的一部分作为控制TFT的接通·断开的 栅电极26发挥功能。以覆盖栅电极26的方式形成有栅绝缘膜(SiN)27。 以经由栅绝缘膜27与扫描线25交差的发生形成有信号线(源-漏布线) 34，信号线34的一部分作为TFT的源电极29发挥功能。在栅绝缘膜27 上依次形成有非晶硅信道层(活性半导体膜)33、信号线(源-漏布线) 34、层间绝缘膜(SiN)30。该类型通常也被称为底栅型。

在栅绝缘膜27上的像素区域，配置有例如由(In₂O₃)中含有10质量 ％左右氧化锡(SnO)的氧化铟锡(InO)膜、及(In₂O₃)中含有氧化锌 的IZO膜形成的像素电极(透明导电膜)5，在图2中，TFT的漏电极28 为与像素电极(透明导电膜)5直接接触而电连接的结构。

在该TFT基板上经由扫描线向栅电极26施加栅电压时，TFT4成为接 通状态，事先施加于信号线的驱动电压从源电极29经由漏电极28施加在 像素电极(透明导电膜)5。然后，像这样向像素电极(透明导电膜)5 施加规定水平的驱动电压时，在其和对向基板2之间产生足够的电位差， 液晶层3中所包含的液晶分子取向，从而产生光调制。

另外，为了提高辉度，有时在TFT结构的上部设置反射电极(未图示)。