[发明专利]磁记录膜用溅射靶及其制造方法

权利要求书

1.一种磁记录膜用溅射靶，所述溅射靶是由含有Co和Pt的基体相、以及金属氧化物相所组成的，其特征在于，导磁率为6～15，相对密度为90％以上。

2.根据权利要求1所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，

在利用扫描式分析电子显微镜观察所述溅射靶的表面时，由所述基体相所形成的粒子的平均粒径、以及由所述金属氧化物相所形成的粒子的平均粒径，均大于等于0.05μm且小于7.0μm，

并且，由所述基体相所形成的粒子的平均粒径，大于由所述金属氧化物相所形成的粒子的平均粒径。

3.根据权利要求1或2所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，

在X射线衍射分析中，用式(I)表示的X射线衍射峰强度比为0.7～1.0，

[数式1]

…(I)。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，所述金属氧化物相中含有选自Si、Ti、Ta的至少一种元素的氧化物。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，所述基体相中还含有Cr。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，所述溅射靶是通过在800℃～1050℃的烧结温度下进行烧结而获得的。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，所述溅射靶是由通电烧结法进行烧结而获得的。

8.一种磁记录膜用溅射靶的制造方法，所述磁记录膜用溅射靶由含有Co和Pt的基体相、以及金属氧化物相所组成，且导磁率为6～15，相对密度为90％以上，所述磁记录膜用溅射靶的制造方法的特征在于，包括：

将含有Co和Pt的金属以及金属氧化物制成粉末，并将该粉末在800℃～1050℃的烧结温度下进行烧结之后，以300℃～1000℃/小时的速度进行降温的工序。

9.根据权利要求8所述的磁记录膜用溅射靶的制造方法，其特征在于，

所获得的磁记录膜用溅射靶，在利用扫描式分析电子显微镜观察所述溅射靶的表面时，由所述基体相所形成的粒子的平均粒径、以及由所述金属氧化物相所形成的粒子的平均粒径，均大于等于0.05μm且小于7.0μm，

并且，由所述基体相所形成的粒子的平均粒径，大于由所述金属氧化物相所形成的粒子的平均粒径。

10.根据权利要求8或9所述的磁记录膜用溅射靶的制造方法，其特征在于，所获得的磁记录膜用溅射靶，在X射线衍射分析中，用式(I)表示的X射线衍射峰强度比为0.7～1.0，

[数式2]

…(I)。

11.根据权利要求8至10中任意一项所述的磁记录膜用溅射靶的制造方法，其特征在于，所获得的磁记录膜用溅射靶中，所述金属氧化物相含有选自Si、Ti、Ta的至少一种元素的氧化物。

12.根据权利要求8至11中任意一项所述的磁记录膜用溅射靶的制造方法，其特征在于，所获得的磁记录膜用溅射靶中，所述基体相还含有Cr。

13.根据权利要求8至12中任意一项所述的磁记录膜用溅射靶的制造方法，其特征在于，利用通电烧结法进行烧结。