[发明专利]磁记录膜用溅射靶及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种在形成磁记录膜时所使用的溅射靶及其制造方法。更具体而言，涉及一种低导磁率且高密度的磁记录膜用溅射靶及其制造方法。

背景技术

作为外部记录装置而采用的硬盘装置，需要具有能够对应于高性能计算机以及数字式家电等的高密度记录性。近几年，可充分满足这种高密度记录性的垂直磁记录方式受到人们的注意，作为使用于该方式的垂直磁化膜，大多采用Co类合金磁性膜。众所周知，在这些磁性膜中，如果对各相的晶粒的大小以及偏差进行抑制，并减少各粒子之间的磁相互作用，则能够减少介质噪声并提高记录密度等。

这种Co类合金磁性膜，目前可以通过对溅射靶进行溅射而获得。关于该方法，为了实现所得膜的高密度记录化、高矫顽力等，而以提高所使用的溅射靶的品质为目标进行了各种研究开发。

例如，在专利文件1中公开了一种由Co类合金所组成的溅射靶。该靶是为了实现Co类合金磁性膜的矫顽力的提高以及噪声的减少，而使合金相和陶瓷相均匀分散而成的。虽然该靶具有一定程度的微细的混合相，并表现出较高的相对密度，但由于在制造该靶时的烧结温度为1000℃～1300℃的比较高的温度，因此不能充分抑制晶粒的生长，对于导磁率也需要进一步改善。

另外，在专利文件2中，公开了一种具有至少含有Co的金属相、以及陶瓷相的溅射靶。虽然该靶为相对密度99％以上的高密度，但氧化物相的长轴粒径停留在10μm以下。估计这是由于烧结温度依然为1150～1250℃的高温而导致的。在该靶中，也不能说充分抑制了晶粒的生长。

另一方面，在专利文件3中，公开了一种高密度的面内磁记录介质用溅射靶，该溅射靶为了矫顽力和减少介质噪声，由含有Co的合金相和陶瓷相所组成。虽然该靶是合金相和陶瓷相微细化且均匀分散而成的，并能够减少粒子，但没有具体研究该靶的密度，而且对于导磁率也还有改善的余地。

专利文件1：日本特开平10-88333号公报

专利文件2：日本特开2006-45587号公报

专利文件3：日本特开2006-313584号公报

发明内容

发明所要解决的课题

如上文所述，上述的任何一种溅射靶，都不能充分满足对结晶粒子的晶粒生长的抑制、低导磁率以及高密度等品质。

本发明的目的在于，提供一种磁记录膜用溅射靶及其制造方法，该溅射靶能够很好地保持这些品质的平衡，即通过抑制晶粒的生长，并形成为低导磁率且高密度，从而能够实现成膜的高效化以及膜特性的提高。

用于解决课题的手段

本发明的磁记录膜用溅射靶是由含有Co和Pt的基体相、以及金属氧化物相所组成的溅射靶，其特征在于，导磁率为6～15，相对密度为90％以上。

而且，在利用扫描式分析电子显微镜观察所述溅射靶的表面时，由所述基体相所形成的粒子的平均粒径、以及由所述金属氧化物相所形成的粒子的平均粒径均大于等于0.05μm小于7.0μm，并且，由所述基体相所形成的粒子的平均粒径，大于由所述金属氧化物相所形成的粒子的平均粒径。

并且，在X射线衍射分析中，优选为，用式(I)所表示的X射线衍射峰强度比为0.7～1.0。

[数式1]

另外，所述金属氧化物相也可以含有选自Si、Ti、Ta中的至少一种元素的氧化物，所述基体相也可以进一步含有Cr。

而且，本发明的磁记录膜用溅射靶优选为，通过在800℃～1050℃的烧结温度下进行烧结而获得，并优选为，由通电烧结法进行烧结而获得。

本发明的磁记录膜用溅射靶的制造方法，是一种由含有Co和Pt的基体相、以及金属氧化物相所组成，且导磁率为6～15，相对密度为90％以上的磁记录膜用溅射靶的制造方法，其特征在于，包括：

将含有Co和Pt的金属以及金属氧化物制成粉末，并将该粉末在800℃～1050℃的烧结温度下进行烧结之后，以300℃～1000℃/小时的速度进行降温的工序。

发明效果

由于本发明的磁记录膜用溅射靶是一种高密度、且充分抑制了结晶粒子的晶粒生长的溅射靶，因此能够减少粒子和电弧的产生。而且，也由于导磁率低，因此能够提高溅射速度，在对该溅射靶进行溅射并形成磁记录膜时，能够实现高速成膜化。

并且，根据本发明的制造方法，能够容易且高速地获得所述溅射靶，并能够实现制造工序的效率化。

附图说明

图1为，在实施例3中所得溅射靶的截面的SEM图像。

图2为，在实施例7中所得溅射靶的截面的SEM图像。