[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种形成集成电路的方法，该方法包括：

形成有源器件的第一部分；

形成无源器件的第一部分；以及

形成存储器件的第一部分；

其中所述有源器件的第一部分、所述无源器件的第一部分或所述存储器件的第一部分，或者其结合，同时形成或接近同时形成。

2.如权利要求1所述的方法，其中：

所述有源器件是具有控制电极的晶体管，所述无源器件是具有第一极板的电容器，所述存储器件是具有控制电极的非易失性存储(NVM)器件；

其中形成所述有源器件的所述第一部分、形成所述无源器件的所述第一部分或形成所述存储器件的所述第一部分，或者其结合，包括同时或接近同时形成所述晶体管的所述控制电极、所述NVM器件的所述控制电极或所述电容器的所述第一极板，或者其结合。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述有源器件是高压晶体管，并且其中形成所述有源器件的所述第一部分、形成所述无源器件的所述第一部分或形成所述存储器件的所述第一部分，或者其结合，包括同时或接近同时形成所述高压晶体管的所述第一部分、形成所述无源器件的所述第一部分、形成所述存储器件的所述第一部分或形成CMOS器件的第一部分。

4.如权利要求1所述的方法，其中：

所述有源器件包括在半导体材料中的多个掺杂区域；并且

所述方法还包括形成电介质结构，其中所述电介质结构从所述半导体材料的表面延伸到所述有源器件的所述多个掺杂区域中的所有所述掺杂区域下方的一距离。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述存储器件具有掺杂区域，并且其中所述电介质结构在所述有源器件的所述多个掺杂区域和所述存储器件的所述掺杂区域之间，且所述电介质结构围绕所述有源器件的所述多个掺杂区域，且其中至少部分所述无源器件设置在所述电介质结构上方。

6.一种集成电路，包括：

具有第一部分的有源器件；

具有第一部分的无源器件；以及

具有第一部分的存储器件；

其中所述有源器件的所述第一部分、所述无源器件的所述第一部分或所述存储器件的所述第一部分，或者其结合，同时或接近同时形成。

7.如权利要求1所述的集成电路，其中所述有源器件包括具有控制电极的晶体管，所述无源器件是具有第一极板的电容器，并且所述存储器件是具有控制电极的非易失性存储(NVM)器件；

其中所述晶体管的所述控制电极、所述NVM器件的所述控制电极或所述电容器的所述第一极板，或者其结合，同时或接近同时形成。

8.如权利要求1所述的集成电路，其中：

所述有源器件包括高压晶体管；并且

其中所述高压晶体管的所述第一部分、所述无源器件的所述第一部分、所述存储器件的所述第一部分或CMOS器件的第一部分同时或接近同时形成。

9.如权利要求1所述的集成电路，其中：

所述有源器件包括在半导体材料中的多个掺杂区域；并且

所述集成电路还包括电介质结构，其中所述电介质结构从所述半导体材料的表面延伸到所述有源器件的所述多个掺杂区域中的所有或接近所有所述掺杂区域下方的一距离。

10.如权利要求9所述的集成电路，其中：

所述存储器件具有掺杂区域；

其中所述电介质结构设置在所述有源器件的所述多个掺杂区域和所述存储器件的所述掺杂区域之间；

其中所述电介质结构至少部分围绕所述有源器件的所述多个掺杂区域；并且

其中至少部分所述无源器件设置在所述电介质结构上方。