[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2007年10月26提交的美国临时申请No.60/983,037的权益。因此，所述申请No.60/983,037通过引用结合于此。

技术领域

本公开中所公开的实施例总体上涉及电气和半导体技术，更具体地，涉及包括集成电路的半导体结构。

背景技术

集成的有源和无源器件可以采用半导体处理技术形成在一起。半导体设计者可以平衡成本和复杂性来集成不同类型的器件。一个挑战是发现有效的隔离技术以在半导体管芯(semiconductor die)内有效地隔离不同类型的器件。例如，较高电压的晶体管可以和较低电压的晶体管一起形成在同一半导体基板上，并且可以实现这些晶体管之间的隔离，从而提供隔离、成本的降低和/或复杂性的降低。

附图说明

图1是部分半导体结构在根据一个或多个实施例的制造期间的截面侧视图；

图2是图1的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图3是图2的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图4是图3的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图5是图4的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图6是图5的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图7是图6的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图8是图7的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图9是图8的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图10是图9的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图11是图10的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图12是图11的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图13是图12的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图14是图13的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图15是图14的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图16是图15的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图17是图16的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图18是图17的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图19是图18的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图20是图19的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图21是图20的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图22是图21的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图23是图22的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图24是图23的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图25是图24的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图26是图25的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图27是图26的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图28是图27的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图29是图28的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图30是图29的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图31是图30的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图32是图31的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图33是图32的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图34是图33的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图35是图34的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图36是图35的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图37是图36的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图38是图37的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图39是图38的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图40是图39的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图41是图40的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图42是图41的半导体结构在稍后的制造阶段的截面图；

图43是图42的集成电路的晶体管的放大截面图；

图44是根据实施例的另一个晶体管的截面图；

图45是根据实施例的另一个结构的截面图；

图46是图45的结构在稍后的制造阶段的截面图；

图47是图46的结构在稍后的制造阶段的截面图；

图48是图47的结构在稍后的制造阶段的截面图；

图49是根据实施例的另一个集成电路的截面图；

图50是根据实施例的另一个集成电路的截面图；