[发明专利]基底制程装置

权利要求书

1.一种基底制程装置，包括：

一个腔室，其具有一内部空间，在该内部空间中相对于一个基底实施一个制程；

一个支撑构件，其排布在所述腔室中用于支撑基底；以及

一个引导管，其排布在支撑构件上方，用于将在内部空间中生成的等离子体引导至支撑构件上的基底。

2.根据权利要求1所述的基底制程装置，其中

所述引导管被配置为柱面的形状，该柱面具有的截面形状基本相应于基底的形状，以及

该引导管将通过其一端引入的等离子体通过其另一端排出到支撑构件。

3.根据权利要求1所述的基底制程装置，其中所述腔室包括：

一个制程腔室，所述支撑构件排布在该制程腔室中，该制程腔室被配置为使得所述制程在制程腔室中通过等离子体来实施；以及

一个生成腔室，其排布在制程腔室上方，该生成腔室被配置为使得等离子体通过一个线圈在生成腔室中生成，

所述引导管具有一个连接至制程腔室的顶壁的上端。

4.根据权利要求1所述的基底制程装置，其中所述腔室包括：

一个制程腔室，所述支撑构件排布在该制程腔室中，该制程腔室被配置为使得所述制程在制程腔室中通过等离子体来实施；以及

一个生成腔室，其排布在制程腔室上方，该生成腔室被配置为使得等离子体通过一个线圈在生成腔室中生成，

所述引导管具有一个连接至生成腔室的下端的上端。

5.根据权利要求1所述的基底制程装置，还包括：

一个气体供应单元，其用于将源气体供应至所述内部空间；以及

一个线圈，其用于在所述内部空间中感生电场，以由所述源气体生成等离子体。