[发明专利]基底制程装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种基底制程装置(substrate processingapparatus)，更具体地，涉及一种使用等离子体的基底制程装置。

背景技术

半导体器件在硅基底上具有多个层。这些层通过沉积制程而沉积在基底上。所述沉积制程具有多个重要的问题，这些问题在评价沉积膜和选择沉积方法时很重要的。

其中一个重要问题是沉积膜的质量。该质量包括成分、污染水平、缺陷密度以及机械和电气特性。膜的成分可根据沉积条件改变，这对于获得一个特定的成分是很重要的。

另一个重要问题是在晶片上的均匀厚度。具体而言，在具有一个阶梯(step)的非平面图案顶部处沉积的膜的厚度是非常重要的。沉积膜的厚度是否均匀可由一个阶梯覆盖率来确定，所述阶梯覆盖率被限定为一个将沉积在阶梯部分的膜的最小厚度除以沉积在图案顶部的膜的厚度而获得的值。

另一个相关于沉积的问题是空间填充(space filling)，其包括用包括氧化膜的绝缘膜来填充金属线之间所限定间隙的间隙填充(gapfilling)。这些间隙设置用于将金属线物理地且电气地绝缘。

在上述问题中，均匀性是与沉积制程相关的重要问题之一。非均匀膜会导致在金属线上的高电阻，而这增加了机械故障的可能性。

发明内容

技术问题

本发明的一个目的是提供一种基底制程装置，其能够改进制程效率。

根据下文对本发明的详细描述和附图，本发明的其他目的将变得更加明了。

技术方案

根据本发明，一种基底制程装置，包括：一个腔室，其限定一内部空间，在该内部空间中相对于一个基底实施一个制程；一个支撑构件，其排布在腔室中用于支撑基底；以及一个引导管，其排布在支撑构件上方，用于将在内部空间中生成的等离子体引导至支撑构件上的基底。

优选地，所述引导管被配置为柱面(cylinder)的形状，该柱面具有的截面形状基本相应于基底的形状，以及该引导管将通过其一端引入的等离子体通过其另一端排出到支撑构件。

优选地，所述腔室包括：一个制程腔室，所述支撑构件排布在该制程腔室中，该制程腔室被配置为使得所述制程在制程腔室中通过等离子体来实施；以及一个生成腔室，其排布在制程腔室上方，该生成腔室被配置为使得等离子体通过一个线圈在生成腔室中生成。所述引导管具有一个连接至制程腔室的顶壁的上端。

或者，所述引导管的上端可连接至生成腔室的下端。

优选地，该基底制程装置还包括：一个气体供应单元，其用于将源气体供应至所述内部空间；以及一个线圈，其用于在所述内部空间中感生电场，以由所述源气体生成等离子体。

有益效果

根据本发明，可通过引导管使等离子体集中。

附图说明

附图被包括用于提供对本发明的进一步理解且被包含在本申请中以及组成本申请一部分，这些附图示出了本发明的实施方案且与描述一起用于说明本发明的原理。在附图中：

图1是示意性图解了根据本发明第一实施方案的基底制程装置的视图；

图2是示意性图解了图1中的第一排出板的视图；

图3和4是图解了选择性地封闭在图1中的第一排出板处形成的排出孔的视图；

图5是图解了使用图1中的第一排出板和第二排出板控制制程均匀性的视图；

图6是示意性图解了根据本发明第二实施方案的基底制程装置的视图；

图7是示意性图解了根据本发明第三实施方案的基底制程装置的视图；

图8-10是图解了图6中的喷头的视图；以及

图11和12是图解了图1中的扩散板的视图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图——即，图1-12——更加详细地描述本发明的示例性实施方案。本发明的实施方案可以用各种形式改型，因此本发明的范围不应被理解为受到以下将要描述的实施方案的限制。这些实施方案被提供用于向本发明所属技术领域内的普通技术人员更清楚地描述本发明。因此，附图中示出的组成元件的形状可被放大以用于更清楚的说明。

同时，在下文中将描述一个使用等离子体的制程作为实施例，然而，本发明的技术构思和范围并不受限于该实施例。例如，本发明可适用于各种其中在真空状态下实施制程的半导体制造装置。在下文中也将描述一个感应耦合等离子体(ICP)类型的等离子体制程作为实施例，尽管本发明适用于包括电子回旋共振(ECR)类型的等离子体制程的各种等离子体制程。

图1是示意性图解了根据本发明第一实施方案的基底制程装置的视图。