[发明专利]用于调整半导体器件中栅极电极的高度的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在半导体层(202)的上方形成晶体管(250A、250B)的栅极电极结构(252)，该栅极电极结构(252)包括形成在栅极绝缘层(254)上的电极部分(253)和形成在该电极部分(253)上的注入阻挡部分(258)；

通过使用该栅极电极结构(252)作为注入掩膜的离子注入(203)而于该半导体层(202)中形成漏极和源极区(251)，以实质防止离子渗入至该晶体管(250A、250B)的沟槽区(255)中；

去除至少该注入阻挡部分(258)以暴露该电极部分(253)；以及

形成层间介电材料(210)邻接且位于该电极部分(253)上方。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括去除至少该注入阻挡部分(258)之前，先沉积平坦化材料(207)。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包括在该电极部分(253)中形成金属硅化物区(257)。

4.如权利要求1所述的方法，其中，形成该栅极电极结构(252)包括形成栅极绝缘层(254A)，以及在该栅极绝缘层(254A)上形成电极材料(253A)，以及在该电极材料(253A)上形成至少一种其它材料层(258A)，该至少一种其它材料层(258A)由不同于该电极材料(253A)的材料组成。

5.如权利要求4所述的方法，其中，该至少一种其它材料层(258A)为该栅极电极结构(252)的顶层。

6.如权利要求4所述的方法，其中，该至少一种其它材料层(258A)为中间层(358)并跟随着一层或多层的附加层(353B)。

7.如权利要求6所述的方法，其中，该一层或多层的附加层(353B)由实质对应于该电极材料(353A)的材料组成。

8.如权利要求5所述的方法，其中，形成该栅极电极结构(352)包括通过第一蚀刻工艺(311)而图案化该注入阻挡(353B)部分，以及在第二蚀刻工艺期间使用该图案化的该注入阻挡部分(353B)作为蚀刻掩膜用来图案化该电极部分(353)。

9.如权利要求7所述的方法，其中，形成该栅极电极结构(352)包括执行第一蚀刻步骤(308A)用来蚀穿该注入阻挡部分(353B)，而使用该中间层(358)作为蚀刻终止层并执行第二蚀刻步骤用来蚀穿该中间层(358)。

10.一种方法，包括：

在半导体层(202)之上形成多个栅极电极结构(252)，所述多个栅极电极结构(252)的每一个具有初始高度(252I)；

通过使用该多个栅极电极结构(252)作为注入掩膜的离子注入(203)而在该半导体层(202)中形成漏极和源极区(251)，该初始高度(252I)经过选择以实质防止离子渗入该半导体层(202)中；

减少该多个栅极电极结构(252)的该初始高度(252I)以获得减少的高度(253H)；以及

形成层间介电材料(210)邻接且位于具有该减少的高度(253H)的该多个栅极电极结构(252)上方。

11.如权利要求10所述的方法，其中，减少该初始高度(252I)包括沉积平坦化材料(207)，以及使用该平坦化材料(207)执行去除工艺(208)。

12.如权利要求10所述的方法，其中，形成该多个栅电极结构(252)包括在栅极绝缘层(254A)上形成电极材料(253A)，以及在该电极材料(253A)上形成至少一种材料层(258A)，该电极材料(253A)和该至少一种材料层(258A)定义该初始高度(252I)。

13.如权利要求12所述的方法，其中，该至少一种材料层(258A)提供为单一材料层。

14.如权利要求12所述的方法，其中，形成该至少一种材料层(258A)包括形成中间层(358)并在该中间层(358)上形成至少一层阻挡层(353B)，该中间层(358)和该至少一层阻挡层(353B)具有不同的材料成分。

15.一种半导体器件(200)，包括：

形成在半导体层(202)之上的栅极电极结构(252)，该栅极电极结构包括栅极绝缘层(254)和形成在该栅极绝缘层(254)上的电极部分(253)，该电极部分(253)具有对应于第一数量(253H)的高度；以及

形成在该半导体层(202)中并朝深度方向延伸第二数量(251D)的漏极和源极区(251)，该漏极和源极区(251)具有在实质由该栅极绝缘层(254)所定义的高度上的顶表面，该第一数量(253H)少于该第二数量(251D)。