[发明专利]超纯水制造方法和装置以及电子部件构件类的清洗方法和装置无效
| 申请号： | 200880114797.0 | 申请日： | 2008-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN101939262A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 福井长雄;森部隆行;堀田等;森田博志 | 申请（专利权）人： | 栗田工业株式会社 |
| 主分类号： | C02F1/42 | 分类号： | C02F1/42;B01J47/00;B01J47/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 庞立志;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超纯水 制造 方法 装置 以及 电子 部件 构件 清洗 | ||
1.超纯水制造装置，其是配备具有阴离子交换树脂的脱离子装置的超纯水制造装置，其特征在于，
作为该阴离子交换树脂，使用预先对硼含量或阳离子洗脱量进行分析评价、且经确认为规定值以下的阴离子交换树脂。
2.权利要求1所述的超纯水制造装置，其特征在于，该硼含量的规定值为50μg/L-阴离子交换树脂(湿润状态)。
3.权利要求1所述的超纯水制造装置，其特征在于，该阳离子洗脱量的规定值为100μg/L-阴离子交换树脂(湿润状态)。
4.权利要求3所述的超纯水制造装置，其特征在于，作为前述阳离子交换树脂，使用H型转化率为99.95％以上的阳离子交换树脂。
5.权利要求1所述的超纯水制造装置，其特征在于，前述脱离子装置是具有前述阴离子交换树脂和阳离子交换树脂的混床式脱离子装置，且被设置为最后段的脱离子装置。
6.超纯水制造方法，其特征在于，使用脱离子装置，所述脱离子装置中使用预先对硼洗脱量进行分析评价、且经确认为规定值以下的阴离子交换树脂。
7.超纯水制造方法，其特征在于，使用脱离子装置，所述脱离子装置中使用预先对阳离子洗脱量进行分析评价、且经确认为规定值以下的阴离子交换树脂。
8.超纯水制造方法，所述方法使用权利要求1至5中任一项所述的超纯水制造装置。
9.权利要求6所述的超纯水制造方法，其特征在于，作为前述阴离子交换树脂，使用通过以硼浓度为10μg/L以下的碱试剂进行再生而使硼含量为前述规定值以下的阴离子交换树脂。
10.权利要求9所述的超纯水制造方法，其特征在于，作为前述阴离子交换树脂，使用以前述碱试剂进行再生后、以硼浓度为2μg/L以下的水清洗过的阴离子交换树脂。
11.电子部件构件类的清洗方法，其特征在于，使用由权利要求1至5中任一项所述的超纯水制造装置制造的超纯水对电子部件构件类进行清洗。
12.电子部件构件类的清洗装置，其特征在于，配备权利要求1至5中任一项所述的超纯水制造装置作为清洗用水制造装置。
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