[发明专利]超纯水制造方法和装置以及电子部件构件类的清洗方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及超纯水制造方法和装置，特别地，涉及适合半导体制造工业等中的电子部件构件类的清洗的超纯水制造方法和装置。另外，本发明涉及电子部件构件类的清洗方法和装置，其中使用由该超纯水制造装置制造的超纯水。

背景技术

在广泛应用超纯水的半导体、药品制造等领域中，近年来日益要求高纯度的水质。由于清洗半导体基板或各种电子材料的水(超纯水)或药液中的杂质对半导体等的硅基板的电特性造成影响，因而被严格管理。

超纯水一般通过如下方式制造：在前处理工序对河流水、地下水及工业用水等被处理水进行处理而除去被处理水中的悬浊物和有机物的大部分，然后采用一次纯水制造装置和二次纯水制造装置(有时也称为子系统。)对该前处理水依次进行处理。二次纯水制造装置中，为了除去一次纯水中残留的极微量的离子、有机物、微粒等，进一步组合紫外线照射、离子交换、超滤膜等来进行处理，最终得到所需的超纯水。在这种超纯水制造装置中，非再生型离子交换树脂被用于制造一次纯水的混床式装置或制造二次纯水的离子交换装置中。使用非再生型的离子交换树脂的优点是，使处理水成为高纯度及不需要利用药液的再生设备。另外，二次纯水制造装置中，由于能够使用经特别预处理纯化而高度再生的离子交换树脂，所以万一的情况下再生用药液也不会流入使用点。

所得的超纯水，例如被供给至半导体制造工业中进行晶片清洗等的使用点。这种超纯水并不是完全不含杂质，虽然存在超微量，但仍对半导体装置等产品造成影响。随着装置的集成度变高，变得不能忽视超纯水中所含的超微量成分，逐渐需要与以前的超纯水相比具有更高纯度的超纯水。

以前，作为超纯水的水质(金属杂质浓度)，需求规格是达到1ng/L以下，但逐渐变得要求更高纯度、即金属杂质浓度0.1ng/L以下。

日本特开平8-84986中记载了通过使用硼选择性离子交换树脂来制造硼浓度1ng/L以下的超纯水。但是，如果该硼选择性离子交换树脂的后段，或者与之混合，使用混床式离子交换树脂，则由于硼从该混床式离子交换树脂中所用的阴离子交换树脂中洗脱，导致超纯水中的硼浓度升高。

专利文献1：日本特开2005-296839

日本特开2005-296839中提出了超纯水制造方法和装置、以及使用其的电子部件构件类的清洗方法和装置，所述超纯水制造方法和装置中，通过使二次纯水装置内所用的非再生型离子交换树脂的阳离子树脂中的钠型化合物R-Na的分数为0.01％以下，从而将从离子交换树脂流向处理水的钠离子抑制至极低水平。

专利文献2：日本特开2005-296839

实际的超纯水系统中，在最终段使用混合了阴离子交换树脂和阳离子交换树脂的混床式脱离子装置。超纯水的水质受到从该混床式脱离子装置的阴离子交换树脂中洗脱的金属的较大影响，仅仅简单地控制阳离子交换树脂中的金属浓度，难以将金属浓度稳定地处理至0.1ng/L以下。

发明内容

本发明的第1目的是提供能稳定地制造硼浓度为1ng/L以下的超纯水的超纯水制造装置、和使用该装置的超纯水制造方法、电子部件构件类的清洗方法以及清洗装置。

另外，本发明的第2目的是提供能稳定地制造金属浓度为0.1ng/L以下的超纯水的超纯水制造装置、和使用该装置的超纯水制造方法、电子部件构件类的清洗方法以及清洗装置。

第1方案的超纯水制造装置是配备具有阴离子交换树脂的脱离子装置的超纯水制造装置，其特征在于，作为该阴离子交换树脂，使用预先对硼含量进行分析评价、且经确认为规定值以下的阴离子交换树脂。

第2方案的超纯水制造装置，其特征在于，在第1方案中，该规定值为50μg/L-阴离子交换树脂(湿润状态)。

第3方案的超纯水制造装置，其特征在于，在第1或2方案中，前述脱离子装置是具有前述阴离子交换树脂和阳离子交换树脂的混床式脱离子装置，且被设置为最后段的脱离子装置。

第4方案的超纯水制造方法，其特征在于，使用脱离子装置，所述脱离子装置中使用预先对硼洗脱量进行分析评价、且经确认为规定值以下的阴离子交换树脂。

第5方案的超纯水制造方法使用第1至3中任一种方案的超纯水制造装置。

第6方案的超纯水制造方法，其特征在于，在第4或5方案中，作为前述阴离子交换树脂，使用通过以硼浓度为10μg/L以下的碱试剂进行再生而使硼含量为前述规定值以下的阴离子交换树脂。

第7方案的超纯水制造方法，其特征在于，在第6方案中，作为前述阴离子交换树脂，使用以前述碱试剂进行再生后、以硼浓度为2μg/L以下的水清洗过的阴离子交换树脂。