[发明专利]对抖动不敏感的∑-△调制器无效
申请号: | 200880114801.3 | 申请日: | 2008-08-07 |
公开(公告)号: | CN101849360A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
发明(设计)人: | 尼古拉斯·索尔宁;达维德·奥里法玛 | 申请(专利权)人: | 剑桥硅无线电有限公司 |
主分类号: | H03M3/02 | 分类号: | H03M3/02 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 抖动 敏感 调制器 | ||
1.一种∑-Δ调制器,用于形成表示输入信号的电压电平的数字输出信号,所述∑-Δ调制器具有被配置为接收表示所述输入信号的所述电压电平的电流的节点,并且所述数字输出信号取决于所述节点的电压,所述∑-Δ调制器包括:
多个电容性元件,用于平滑所述电流,每个电容性元件的一端连接至所述节点,并且其另一端连接至相应的开关单元;以及
多个开关单元,每个开关单元被配置为根据所述节点处的电压,将所述电容性元件中相应的一个连接至第一电压电平或者第二电压电平,以便提供影响所述节点处的电压的反馈。
2.根据权利要求1所述的∑-Δ调制器,其中,所述∑-Δ调制器被配置为使得将一电容性元件连接至所述第二电压电平导致电荷转移至该电容性元件。
3.根据权利要求2所述的∑-Δ调制器,其中,所述∑-Δ调制器被配置为使得输出节点处的电压电平根据转移至所述电容性元件的电荷而改变。
4.根据权利要求3所述的∑-Δ调制器,其中,所述∑-Δ调制器被配置为使得通过将一个或多个所述电容性元件连接至所述第二电压电平而引起的所述输出节点处的电压变化等于所述第二电压电平除以连接至所述第二电压电平的所述一个或多个电容性元件的数目。
5.根据前述任一项权利要求所述的∑-Δ调制器,其中,所述∑-Δ调制器被配置为使得在采样间隔期间所述节点处的电压电平根据表示在该采样间隔期间通过所述电容性元件的输入电压的电流流量而变化。
6.根据前述任一项权利要求所述的∑-Δ调制器,其中,所述∑-Δ调制器包括量化器,所述量化器被配置为通过以预定的采样间隔为所述数字输出信号选择电压电平来形成所述数字输出信号,所述量化器被配置为根据在每个采样时刻所述节点处的电压来执行所述选择。
7.根据权利要求6所述的∑-Δ调制器,其中,所述量化器被配置为根据所述节点处的电压为所述数字输出信号选择两个不同电压电平中的一个。
8.根据权利要求6或7所述的∑-Δ调制器,其中,所述量化器连接至所述节点,所述量化器被配置为以预定的采样间隔对所述节点处的电压进行采样,并且输出所述数字输出信号以表示在每个采样时刻经采样的电压。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的∑-Δ调制器,其中,所述∑-Δ调制器包括被配置为接收所述数字输出信号的控制单元,所述控制单元被配置为使每个开关单元根据所述数字输出信号将其相应的电容性元件连接至所述第一电压电平或者所述第二电压电平。
10.根据权利要求9所述的∑-Δ调制器,其中,所述控制单元被配置为,在所述量化器为所述数字输出信号选择电压电平的采样时刻之后,至少在紧跟在所述采样时刻之后的采样间隔的持续时间内,使每个开关单元将其相应的电容性元件连接至所述第一电压电平或者所述第二电压电平。
11.根据权利要求10所述的∑-Δ调制器,其中,所述控制单元被配置为在紧跟在所述采样时刻之后的采样间隔期间,根据所述数字输出信号的电压电平使每个开关单元将其相应的电容性元件连接至所述第一电压电平或者所述第二电压电平。
12.根据前述任一项权利要求所述的∑-Δ调制器,其中,所述∑-Δ调制器被配置为使得通过在第一采样间隔期间将每个电容性元件连接至所述第一电压电平或者所述第二电压电平而转移至多个所述电容性元件的电荷量,与通过在紧跟在所述第一采样间隔之后的第二采样间隔期间将每个电容性元件连接至所述第一电压电平或者所述第二电压电平而转移至所述多个电容性元件的电荷量相差了与所述第二采样间隔期间所述数字输出信号的电压电平成比例的电荷量。
13.根据前述任一项权利要求所述的∑-Δ调制器,其中,所述∑-Δ调制器被配置为使得通过在采样间隔期间将每个电容性元件连接至所述第一电压电平或者所述第二电压电平而转移至所述多个电容性元件的所述电荷量与所述数字输出信号的积分成比例。
14.根据权利要求9至13中任一项所述的∑-Δ调制器,其中,所述控制单元包括数字积分器,所述数字积分器被配置为接收所述数字输出信号,并对所述数字输出信号进行积分以形成积分反馈值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于剑桥硅无线电有限公司,未经剑桥硅无线电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880114801.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。