[发明专利]发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

含有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光半导体层；

支撑所述发光半导体层同时围绕所述发光半导体层的第二电极层；和

在所述发光半导体层的侧面与所述第二电极层之间的第一钝化层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，包括在所述发光半导体层上的第一电极层。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一钝化层包括无机层。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述无机层包括SiN、SiO₂或TiO₂中的一种。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一钝化层包括至少两个交替设置的第一和第二无机层。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一无机层包括SiO₂，所述第二无机层包括TiO₂。

7.根据权利要求1所述的发光器件，包括在所述第二电极层和所述第一钝化层之间的第二钝化层。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第二钝化层包括含有丙烯酰基材料、环氧基材料或聚酰亚胺基材料中的至少一种的有机层。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二电极层包括在所述发光半导体层下的欧姆接触层、在所述欧姆接触层和所述第一钝化层之下和在所述第一钝化层侧面的键合金属层、以及在所述键合金属层之下和在所述键合金属层侧面的支撑层。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述键合金属层和所述支撑层朝向所述发光半导体层突出。

11.一种发光器件，包括：

含有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光半导体层；

在所述发光半导体层侧面的第一钝化层；

在所述发光半导体层和所述第一钝化层之下和在所述第一钝化层侧面的金属层；

在所述金属层侧面的第二钝化层，和

在所述第二钝化层之下和在所述第二钝化层侧面同时支撑所述发光半导体层的支撑层。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第一钝化层延伸到所述发光半导体层的底部边缘。

13.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述金属层与所述发光半导体层电连接并且与所述发光半导体层的侧面电隔离。

14.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第二钝化层延伸到所述金属层的底部边缘。

15.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第一钝化层包括无机层，所述第二钝化层包括有机层。

16.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述无机层包括含有SiN、SiO₂或TiO₂中的一种的第一无机层和含有SiN、SiO₂或TiO₂中的另一种的第二无机层。

17.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述有机层包括丙烯酰基材料、环氧基材料或聚酰亚胺基材料中的至少一种。

18.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述金属层包括Ag、W或Al中的至少一种。

19.一种制造发光器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成含有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光半导体层；

在所述发光半导体层的侧面和上部边缘形成第一钝化层，以暴露出所述发光半导体层的上部中心部分；

在所述发光半导体层和第一钝化层上和在第一钝化层侧面形成金属层；

在所述金属层上和在所述金属层侧面形成支撑层；和

移除所述衬底并在所述发光半导体层上形成电极层。

20.根据权利要求19所述的方法，包括在所述第一钝化层和所述金属层或在所述金属层和所述支撑层之间形成第二钝化层的步骤。