[发明专利]发光器件及其制造方法

说明书

技术领域

本公开涉及一种发光器件及其制造方法。

背景技术

发光二极管(LED)是用于将电流转化成光的半导体发光器件。

由比如LED发出的光的波长根据用于LED的半导体材料而变化。这是因为所发出光的波长根据半导体材料的带隙而变化，带隙表示价带电子与导带电子之间的能量间隙。

最近，随着LED亮度逐渐增强，LED被用作显示设备的光源、照明装置和车辆的光源。通过使用磷光体材料或者结合具有不同颜色的LED，可以实现具有优异效率的发白光的LED。

发明内容

技术问题

实施方案提供一种发光器件及其制造方法。

实施方案提供一种具有改进的光提取效率的发光器件及其制造方法。

实施方案提供一种具有改进的绝缘特性的发光器件及其制造方法。

实施方案提供一种具有改进的热稳定性和物理特性的发光器件及其制造方法。

技术方案

在一个实施方案中，发光器件包括：含有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光半导体层；支撑所述发光半导体层同时围绕所述发光半导体层的第二电极层；和在所述发光半导体层的侧面与所述第二电极层之间的第一钝化层。

在一个实施方案中，发光器件包括：含有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光半导体层；在所述发光半导体层的侧面的第一钝化层；在所述发光半导体层和第一钝化层之下以及在所述第一钝化层侧面的金属层；在所述金属层侧面的第二钝化层，和在第二钝化层之下以及在第二钝化层侧面同时支撑所述发光半导体层的支撑层。

在一个实施方案中，制造发光器件的方法包括如下步骤：在衬底上形成含有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光半导体层；在所述发光半导体层的侧面和上部边缘形成第一钝化层以暴露所述发光半导体层的上部中心部分；在所述发光半导体层和第一钝化层上以及在第一钝化层的侧面形成金属层；在所述金属层上和在所述金属层侧面形成支撑层，和移除衬底并在发光半导体层上形成电极层。

有益效果

实施方案可提供具有改进的光提取效率的发光器件及其制造方法。

实施方案可提供具有改进的绝缘特性的发光器件及其制造方法。

实施方案可提供具有改进的热稳定性和物理特性的发光器件及其制造方法。

附图说明

图1～6是说明根据第一实施方案的发光器件及其制造方法的剖面图。

图7～10是说明根据第二实施方案的发光器件及其制造方法的剖面图。

具体实施方式

将参考附图详细描述根据本发明的实施方案。

但是，本发明可以以多种不同形式实施，并且不应解释为限于本文中给出的示例性实施方案。相反，提供这些示例性实施方案使得本公开彻底并完整，并使得本领域技术人员充分知道本发明的范围。

在全部附图中用相同的附图标记表示相同的元件。在图中，为清楚起见，可放大层和区域的尺寸和相对尺寸。

应理解当如层、区域或衬底的元件称为在另一元件“上”或“下”时，其可以直接在所述另一元件上或下，或者也可以存在中间元件。当元件的一部分如“表面”称为“内”时，是指该部分与元件的其它部分相比远离器件。

应理解，附图中的这些措辞除了附图中示出的方向之外还包括器件的其他方向。最后，当元件称为“直接”在另一元件“上”时，不存在中间元件。本文中使用的措辞“和/或”包括相关列出项目的一个或更多个的任何和所有组合。

图1～6是说明根据第一实施方案的发光器件及其制造方法的剖面图。

首先，参考图5，根据第一实施方案的发光器件包括具有支撑层700的第二电极层、在支撑层700上形成的键合金属层600、和在键合金属层600上形成的欧姆接触层300。

在欧姆接触层300上形成发光半导体层200，所述发光半导体层200包括第二导电半导体层230、有源层220和第一导电半导体层210。在第一导电半导体层210上形成第一电极层800。

另外，在发光半导体层200和键合金属层600之间形成第一和第二钝化层400和500。

支撑层700具有朝向发光半导体层200突出同时围绕发光半导体层200的侧面的中心区域。在支撑层700上形成键合金属层600。

因此，第一和第二钝化层400和500、键合金属层600和支撑层700设置在发光半导体层200的侧面。