[发明专利]用来从半导体基板除去金属硬掩模蚀刻残余物的组合物

权利要求书

1.一种用来从基板除去一种或多种抗蚀剂、蚀刻残余物、平面化残余物、金属氟化物和金属氧化物的组合物，所述组合物包含：

a)不含金属离子的氟化物，其选自氟化铵，氟化氢铵，HF以及它们的混合物；

b)一种或多种酸；以及

c)水，

其中所述组合物的pH值约为1-8，

所述一种或多种抗蚀剂、蚀刻残余物、平面化残余物、金属氟化物和金属氧化物是在使用金属硬掩模的一个或多个图案化工艺过程中产生的。

2.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述组合物还包含选自以下的一种或多种极性有机溶剂：酰胺、醇胺、多元醇、以及它们的混合物。

3.如权利要求2所述的组合物，其特征在于，所述一种或多种极性有机溶剂包括N，N-二甲基乙酰胺。

4.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述不含金属离子的氟化物是氟化氢铵。

5.如权利要求4所述的组合物，其特征在于，所述氟化氢铵的含量约为0.01-1.0重量％。

6.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述一种或多种酸包括羧酸。

7.如权利要求6所述的组合物，其特征在于，所述羧酸选自亚氨基二乙酸，乙酸，马来酸，乙醛酸，柠檬酸，草酸，五倍子酸，甲酸，乙醇酸以及它们的混合物。

8.如权利要求7所述的组合物，其特征在于，羧酸含量约为0.5-35重量％。

9.一种用来除去一种或多种抗蚀剂、蚀刻残余物、平面化残余物、金属氟化物和金属氧化物的组合物，所述组合物包含：

a)不含金属离子的氟化物；

b)一种或多种酸；

c)选自以下的化合物：醚，二醇醚，酰胺，醇胺，多元醇以及它们的混合物；以及

d)水，

其中所述组合物的pH值约为1-8，

所述一种或多种抗蚀剂、蚀刻残余物、平面化残余物、金属氟化物和金属氧化物是在使用金属硬掩模的一个或多个图案化工艺过程中产生的。

10.如权利要求9所述的组合物，其特征在于，组分c)包括丙二醇和/或一种或多种丙二醇单乙基醚，二乙二醇单甲基醚，二乙二醇单丁基醚，或者它们的混合物，其中组分c)的含量约为2-7重量％。

11.如权利要求9所述的组合物，其特征在于，组分c)包含最高约60重量％的N，N-二甲基乙酰胺。

12.如权利要求9所述的组合物，其特征在于，所述不含金属离子的氟化物是含量约为0.05-1重量％的氟化氢铵。

13.如权利要求1或9所述的组合物，其特征在于，所述组合物还包含螯合剂。

14.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述组合物还包含约0.05-1重量％的单乙醇胺。

15.如权利要求9所述的组合物，其特征在于，所述组合物包含氟化氢铵，柠檬酸，丙二醇和水。

16.一种用来从半导体基板除去一种或多种抗蚀剂、蚀刻残余物、平面化残余物、金属氟化物和金属氧化物的方法，所述方法包括在一定温度下使得所述基板与权利要求1或9所述的组合物接触一段时间，所述时间和温度足以除去所述一种或多种抗蚀剂、蚀刻残余物、平面化残余物、金属氟化物和金属氧化物，

所述一种或多种抗蚀剂、蚀刻残余物、平面化残余物、金属氟化物和金属氧化物是在使用金属硬掩模的一个或多个图案化工艺过程中产生的，

其中所述组合物的pH值为1-8。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述金属硬掩模包含氮化钛、氮化钽、钨、铬、氧化铝、氮化铝、或它们的混合物。

18.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述硬掩模蚀刻残余物包含氟化钛(Ti_xF_y)，氟化硅无机残余物，氧化铜(Cu_xO)，聚合物或它们的混合物。