[发明专利]一次写入光学记录介质及其制造方法

权利要求书

1.一种一次写入光学记录介质，包括：

无机记录层；以及

保护层，包含氧化铟和氧化锡作为主要成分，所述保护层被设置在所述无机记录层的至少一个表面上。

2.根据权利要求1所述的一次写入光学记录介质，还包括热积累层，其设置在所述无机记录层的至少一个表面上，

其中，所述无机记录层与所述热积累层邻接。

3.根据权利要求2所述的一次写入光学记录介质，其中，所述热积累层包含ZnS和SiO₂作为主要成分。

4.根据权利要求2所述的一次写入光学记录介质，其中，当以d1来表示所述保护层的厚度，而以d2来表示所述热积累层的厚度时，这些厚度d1和d2满足关系0.07≤d2/(d1+d2)≤1.00。

5.根据权利要求1所述的一次写入光学记录介质，其中，所述保护层设置在所述无机记录层的表面中的用于记录和/或再生的激光束入射到其上的表面上，并且

所述保护层的厚度为11nm以上且34nm以下。

6.根据权利要求1所述的一次写入光学记录介质，其中，所述无机记录层包含ZnS、SiO₂以及Sb作为主要成分。

7.根据权利要求6所述的一次写入光学记录介质，其中，所述无机记录层包含选自由Ga、Te、V、Si、Zn、Ta、Ge、In、Cr、Sn以及Tb所组成的组中的至少一种元素。

8.根据权利要求6所述的一次写入光学记录介质，其中，所述无机记录层具有满足以下式(1)的组成：

[(ZnS)_x(SiO₂)_1-x]_y(Sb_zX_1-z)_1-y…(1)

其中，0＜x≤1.0、0.3≤y≤0.7、以及0.8＜z≤1.0，并且X为选自

由Ga、Te、V、Si、Zn、Ta、Ge、In、Cr、Sn以及Tb所组成的组中的至少一种元素。

9.根据权利要求1所述的一次写入光学记录介质，其中，所述无机记录层的厚度为3nm以上且40nm以下。

10.根据权利要求1所述的一次写入光学记录介质，其中，所述无机记录层包含Te和Pd作为主要成分。

11.根据权利要求1所述的一次写入光学记录介质，其中，所述保护层被设置在所述无机记录层的两侧的每一侧上，以及

至少一个所述保护层包含氧化铟和氧化锡作为主要成分。

12.一种一次写入光学记录介质，包括：

第一记录层和第二记录层，

其中，所述第二记录层包括无机记录层，以及

保护层，包含氧化铟和氧化锡作为主要成分，所述保护层被设置在所述无机记录层的至少一个表面上，并且

将信息信号记录至所述第一记录层和/或从所述第一记录层再生所述信息信号通过利用激光束经由所述第二记录层照射所述第一记录层来执行。

13.一种一次写入光学记录介质的制造方法，包括：

形成无机记录层的步骤；以及

形成包含氧化铟和氧化锡作为主要成分的保护层的步骤，

其中，所述保护层设置在所述无机记录层的至少一个表面上。

14.根据权利要求13所述的一次写入光学记录介质的制造方法，其中，在形成所述保护层的步骤中，所述保护层通过直流溅射方法形成。