[发明专利]半导体装置和显示装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其由第一基板与第二基板相互贴合而构成，所述第一基板通过在剥离层剥离一部分而形成，且包含场效应型晶体管，所述半导体装置的特征在于：

与所述第一基板的所述场效应型晶体管的沟道区域为同一导电型、并且比该沟道区域高浓度的高浓度杂质区域，与该沟道区域电连接而形成，以使得该沟道区域的电位被固定。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述高浓度杂质区域，在所述场效应型晶体管的源极区域内形成。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

所述高浓度杂质区域，在所述源极区域内，与所述沟道区域邻接形成。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

所述高浓度杂质区域，在所述源极区域内，以不与所述沟道区域邻接的方式形成。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

在所述场效应型晶体管的所述沟道区域形成的硅层的膜厚，比所述沟道区域的最大耗尽层宽度厚。

6.如权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述场效应型晶体管，包括NMOS晶体管和PMOS晶体管的至少任意一方。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一基板包含：单晶硅半导体、或者选自IV族半导体、II-VI族化合物半导体、III-V族化合物半导体、IV-IV族化合物半导体、含有它们的同族元素的混晶和氧化物半导体中的至少一个。

8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述高浓度杂质区域和所述源极区域，与源极电极电连接。

9.如权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述高浓度杂质区域接地。

10.如权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述第二基板是玻璃基板或单晶硅基板。

11.一种显示装置，其特征在于：

包括权利要求1至10中任一项所述的半导体装置。