[发明专利]制造电子器件的工艺

权利要求书

1.一种制造电子器件的工艺，所述电子器件由III族/N材料制成，该工艺包括通过外延在支承层(1)上生长以下连续层：

适于包含电子气的层(2、3)；

阻挡层(4)；以及

表面层(7a)，

该工艺还包括针对所述表面层(7a)的至少一部分的刻蚀步骤，

其特征在于，在所述刻蚀步骤后，执行外延再生长以在经过刻蚀的表面层(7a)上生长覆盖层(7b)，并且所述表面层(7a)的材料和所述覆盖层(7b)的材料包括氮和至少一种III族元素。

2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述刻蚀工艺包括在所述表面层(7a)中形成至少一个槽，所述槽的深度大于或等于所述表面层(7a)的厚度，并且所述覆盖层(7b)覆盖所述表面层(7a)和所述槽。

3.根据权利要求1和2中任一项所述的工艺，其特征在于，还对所述阻挡层(4)的一部分厚度执行刻蚀。

4.根据权利要求1到3中任一项所述的工艺，其特征在于，在外延再生长期间，生长所述覆盖层(7b)并对该覆盖层(7b)进行掺杂。

5.根据权利要求1到4中任一项所述的工艺，其特征在于，在预定的用于肖特基接触电极(8)的位置处执行对所述表面层(7a)的刻蚀，以在所述肖特基接触电极下方形成槽(12)。

6.根据权利要求5所述的工艺，其特征在于，在形成所述覆盖层(7b)后，该工艺还包括以下步骤：

在所述槽(12)中形成肖特基接触电极(8)；和

形成钝化层(9)。

7.根据权利要求1到6中任一项所述的工艺，其特征在于，在形成所述覆盖层(7b)后，在计划的用于至少一个欧姆接触电极(5)的位置处刻蚀出深度至少等于所述覆盖层(7b)的厚度和所述表面层(7a)的厚度的槽，以在所述阻挡层(4)上或在所述阻挡层(4)的厚度内形成所述欧姆接触电极(5)。

8.一种电子器件，该电子器件由III族/N材料制成，该电子器件从其基部到其表面依次包括：

衬底层(1)，

适于包含电子气的层(2、3)，

阻挡层(4)，以及

所述阻挡层(4)的至少一部分表面上的表面层(7a)，

所述表面层(7a)包括至少一个槽(10、12)，

其特征在于，所述表面层(7a)和所述槽被覆盖层(7b)覆盖，所述覆盖层(7b)的表面呈现由宽度大于2nm的平台所分隔的原子台阶，并且所述表面层(7a)的材料和所述覆盖层(7b)的材料包括氮和至少一种III族元素。

9.根据权利要求8所述的电子器件，其特征在于，该电子器件包括位于所述阻挡层(4)上或位于所述阻挡层(4)的厚度内的欧姆接触电极(5)。

10.根据权利要求8和9中任一项所述的电子器件，其特征在于，该电子器件包括位于所述覆盖层(7b)上并在槽(12)中的肖特基接触电极(8)，所述槽(12)的深度大于或等于所述表面层(7a)的厚度。

11.根据权利要求8到10中任一项所述的电子器件，其特征在于，所述表面层(7a)未被掺杂，而所述覆盖层(7b)被掺杂。