[发明专利]加工对象物切断方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于沿着切断预定线将加工对象物切断的加工对象物切断方法。

背景技术

作为现有的加工对象物切断方法，包括，沿着切断预定线在加工对象物中形成切断起点区域的工序、以及以切断起点区域为起点而沿着切断预定线将加工对象物切断的工序(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2007-235069号公报

发明内容

发明所要解决的问题

然而，在上述那样的加工对象物切断方法中，在将加工对象物切断时，因为切断时施加的应力(以下，称为“切断应力”)，而存在在加工对象物的外缘部所产生的割裂会向内侧伸展的问题。在加工对象物厚度较薄的情况下，在加工对象物的外缘部容易产生凹口(chipping)(缺口)，因而这个问题会更为严重。

因此，本发明以提供一种能够将加工对象物高精度地切断的加工对象物切断方法为目的。

解决问题的方法

为了解决上述问题，本发明所涉及的加工对象物切断方法的特征在于，是用于沿着切断预定线将板状的加工对象物切断的加工对象物切断方法，包括：通过使聚光点对准加工对象物并照射激光，从而沿着改质区域形成线，在加工对象物中形成改质区域的工序，其中，该改质区域形成线从加工对象物的外缘向规定的距离的内侧并沿着外缘而被设定；沿着切断预定线在加工对象物中形成切断起点区域的工序；以及以切断起点区域为起点，沿着切断预定线将加工对象物切断的工序。

根据该加工对象物切断方法，沿着改质区域形成线，在加工对象物中形成改质区域，该改质区域形成线从加工对象物的外缘向规定的距离的内侧并沿着外缘而被设定。因此，即使在将加工对象物切断时对加工对象物施加切断应力，利用所形成的改质区域或者从改质区域延伸的割裂，也能够抑制在加工对象物的外缘部产生的割裂向内侧伸展。其结果，可以高精度地切断加工对象物。在此，该“割裂”包括龟裂、裂缝和裂口等。

另外，优选，切断起点区域的端部位于加工对象物的改质区域的外侧。在此情况下，在将加工对象物切断时，能够将切断应力均等地施加于加工对象物，从而能够容易地将加工对象物切断。

另外，优选，切断起点区域的端部位于加工对象物的改质区域上或者改质区域的内侧。在此情况下，由于所需要的切断应力变大，因而例如在搬运形成有改质区域以及切断起点区域的切断前的加工对象物时，能够防止加工对象物不小心被切断。即可以提高加工对象物的操作性。

另外，优选，加工对象物具有外缘部和该外缘部的内侧的有效区域，改质区域形成于加工对象物的外缘部和有效区域之间的边界的外侧。在此情况下，能够充分地有效利用有效区域。在此，所谓有效区域，是指用于形成例如电路或受光元件等的功能元件的区域。

另外，优选，加工对象物具有外缘部和该外缘部的内侧的有效区域，改质区域形成于加工对象物的外缘部和有效区域之间的边界或者该边界的内侧。在此，在加工对象物中，由于通常外缘部的厚度比有效区域的厚度更薄，因此在研磨工序中容易在外缘部产生凹口或缺口、割裂。因此，在加工对象物中通过在外缘部和有效区域之间的边界或者该边界的内侧形成改质区域，从而能够可靠地抑制割裂向内侧伸展。

另外，具体而言，可以举出切断起点区域是通过使聚光点对准加工对象物并照射激光而形成的切断用改质区域的情况。此时，优选，切断用改质区域不露出于加工对象物的表面以及背面，由此，能够抑制从切断用改质区域产生粉尘。

发明的效果

根据本发明，能够将加工对象物高精度地切断。

附图说明

图1是形成改质区域所使用的激光加工装置的大致结构图。

图2是作为改质区域的形成对象的加工对象物的平面图。

图3是沿着图2的加工对象物的III-III线的截面图。

图4是激光加工后的加工对象物的平面图。

图5是沿着图4的加工对象物的V-V线的截面图。

图6是沿着图4的加工对象物的VI-VI线的截面图。

图7是表示激光加工后的硅片的切断面的照片的图。

图8是表示激光的波长和硅基板的内部的透过率之间的关系的图表。

图9是表示激光的峰值功率密度和裂纹点的大小之间的关系的图表。

图10是表示作为第1实施方式所涉及的加工对象物切断方法的对象的加工对象物的图。

图11是用于说明第1实施方式所涉及的加工对象物切断方法的沿着图10的Xb-Xb线的大致截面图。

图12是图11的后续图。

图13是表示切断后的加工对象物的图。