[发明专利]感光性粘接剂有效

专利信息
申请号: 200880119113.6 申请日: 2008-12-02
公开(公告)号: CN101884104A 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: 增子崇;川守崇司;满仓一行;加藤木茂树 申请(专利权)人: 日立化成工业株式会社
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;C09J4/00;C09J179/08;H01L21/52;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 感光性 粘接剂
【说明书】:

技术领域

本发明涉及感光性粘接剂。

背景技术

在具有层叠有多个半导体芯片的多层构成的半导体装置中,通常使用芯片焊接用的粘接剂将半导体芯片相互粘接。要求该粘接剂具有低应力性、低温下的粘附性、耐湿可靠性及耐焊接回流性这样的各种特性。

在具有多层构成的半导体装置的制造中,通常在设置于下层半导体芯片的电路面的缓冲涂膜和位于其上层的半导体芯片之间配置芯片焊接用的粘接剂,从而将半导体芯片相互粘接。半导体芯片的缓冲涂膜,以形成焊盘露出的开口的形式使用感光性树脂来形成图案。

另一方面,提出了几个兼具感光性和粘接性的感光性粘接剂的方案(参照专利文献1~3)。

专利文献1:日本特开2000-290501号公报

专利文献2:日本特开2001-329233号公报

专利文献3:日本特开平11-24257号公报

发明内容

发明要解决的课题

要求使具有多层构成的半导体装置进一步变薄,但难以通过以往的方法进一步薄型化。另外,半导体芯片的层叠数变多时,也存在工序数变多、制造工艺复杂化这样的问题。进而,如上所述,在具有层叠有多个半导体芯片的多层构成的半导体装置中,半导体芯片间的层构成,由于形成芯片焊接层和缓冲涂层的2层,因此两者的界面粘接性不充分时,或者由两者的热变形的差产生应力时,都存在半导体装置的可靠性降低的问题。

因此,本发明的目的在于,使具有多层构成的半导体装置的进一步薄型化成为可能,同时减少半导体装置制造的工序数。另外,本发明目的还在于提高得到的半导体装置的可靠性。

解决课题的手段

本发明涉及通过曝光及显影来形成图案后具有对于被粘接物的粘接性(再粘接性)、且能够碱显影的感光性粘接剂。本发明的感光性粘接剂,用于具有以下工序的半导体装置的制造方法,所述工序是:通过曝光及显影将设置于半导体芯片的电路面上的该感光性粘接剂形成图案的工序,和将其他的半导体芯片与形成图案后的所述感光性粘接剂直接粘接的工序。形成图案后的上述感光性粘接剂可以是缓冲涂膜。另外,上述缓冲涂膜,不仅具有应力缓和功能,还包含作为半导体电路表面保护膜的功能。

上述本发明的感光性粘接剂,兼具作为芯片焊接用的粘接剂的功能和形成已形成了图案的绝缘树脂膜的功能。通过使用本发明的感光性粘接剂,没有必要设置半导体芯片上的绝缘树脂膜以外的另外的粘接层,因此具有多层构成的半导体装置的进一步薄型化成为可能,同时也能够减少半导体装置制造的工序数。另外,本发明的感光性粘接剂,如上所述,单层即可兼具作为芯片焊接用的粘接剂的功能和作为形成已形成了图案的绝缘树脂膜的感光性树脂的功能,因此没有以往由芯片焊接层和缓冲涂层的2层构成产生的界面。由此,没有由上述界面粘接性的不良而产生的剥离的问题、以及由两者的热变形的差产生应力的问题。因此,可大幅度改善所得到的半导体装置的耐热、耐湿及连接可靠性。

上述本发明的感光性粘接剂,优选含有碱可溶性聚合物、放射线聚合性化合物和光聚合引发剂。由此,特别容易赋予感光性粘接剂在通过曝光及显影来形成图案后对于被粘接物的粘接性。由同样的观点出发,更优选碱可溶性聚合物具有羧基或酚性羟基。

碱可溶性聚合物的玻璃化转变温度优选为150℃以下。由此,能够在更低的温度下将感光性粘接剂设置于半导体晶片或支持构件等被粘接物上。

碱可溶性聚合物优选为聚酰亚胺。聚酰亚胺优选为使四羧酸二酐与二胺反应而得到的,所述二胺包括分别由下述化学式(I-a)、(I-b)、(II-a)、(II-b)及(II-c)表示的芳香族二胺中的至少一种。

[化1]

本发明的感光性粘接剂,优选进一步含有热固化性树脂。

感光性粘接剂可以是薄膜状。

发明的效果

通过本发明,具有多层构成的半导体装置的进一步薄型化成为可能。另外,通过本发明,能够减少半导体装置制造的工序数。进而,通过本发明,能够进一步提高所得到的半导体装置的可靠性。

附图说明

[图1]表示半导体装置的制造方法的一实施方式的剖面图。

[图2]表示半导体装置的制造方法的一实施方式的剖面图。

[图3]表示半导体装置的制造方法的一实施方式的平面图。

[图4]表示半导体装置的制造方法的一实施方式的剖面图。

[图5]表示半导体装置的制造方法的一实施方式的剖面图。

[图6]表示半导体装置的制造方法的一实施方式的剖面图。

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