[发明专利]用于形成高密度图案的方法

权利要求书

1.一种方法，其包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成第一组柱；及

在所述第一组柱上沉积间隔件材料以形成第一孔图案，其中所述孔中的至少一者位于所述第一组的柱之间，且其中在沉积之后，间隔件材料填充所述第一组的第一柱与所述第一组的最近相邻柱之间的间隔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一组柱包括至少一个列及至少一个行，所述至少一个列横切于所述至少一个行而定向，所述至少一个列及所述至少一个行中的每一者包括多个柱。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一孔图案包括至少三个列及至少三个行。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一组柱包括具有大体圆形横截面的柱。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一孔图案包括具有大体圆形横截面的孔。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述间隔件材料为绝缘材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述间隔件材料为半导电材料或导电材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中形成第一组柱包括：

在所述衬底上方形成第一硬掩模层；

在所述第一硬掩模层上方形成可选择性界定层，所述可选择性界定层包括柱图案；

修整所述可选择性界定层的所述柱；及

穿过所述可选择性界定层蚀刻所述第一硬掩模层以将所述经修整柱的图案转移到所述第一硬掩模层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中修整所述可选择性界定层的所述柱包括对所述可选择性界定层进行湿蚀刻。

10.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：

在形成所述可选择性界定层之前在所述第一硬掩模层上方形成第二硬掩模层，其中在所述第二硬掩模层上方形成所述可选择性界定层；及

在蚀刻所述第一硬掩模层之前，穿过所述可选择性界定层蚀刻所述第二硬掩模层。

11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在沉积所述间隔件材料之后，各向同性地蚀刻所述间隔件材料以增加所述孔的宽度。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在各向同性地蚀刻之后，所述孔的所述宽度在所述柱的宽度的约50％与约150％之间。

13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在沉积所述间隔件材料之后，各向异性地蚀刻所述间隔件材料以暴露所述第一组的所述柱。

14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括在暴露所述第一组的所述柱之后，选择性地蚀刻所述第一组柱以形成第二孔图案，所述第二孔图案包括所述第一孔图案的所述孔及通过选择性地蚀刻所述第一组柱而形成的所述孔。

15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括通过将柱沉积到所述第二孔图案中来形成第二组柱。

16.一种方法，其包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成多个柱，所述柱具有密度X；及

将材料毯覆沉积在所述柱上以在所述柱的层面上形成孔图案，所述孔具有至少X的密度。

17.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述多个柱包括形成具有大体圆形横截面的柱。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述多个柱包括透明碳。

19.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述多个柱包括使用掩模蚀刻所述柱。

20.根据权利要求19所述的方法，其中由光致抗蚀剂形成所述掩模。

21.根据权利要求16所述的方法，其中所述图案的所述孔具有大体圆形横截面。

22.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括移除所述多个柱以形成密度为至少2X的孔图案。

23.根据权利要求22所述的方法，其进一步包括在密度为至少2X的所述孔图案中形成插塞。

24.根据权利要求23所述的方法，其中形成插塞包括在所述孔内侧将插塞外延沉积在所述衬底上。