[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和具备它的显示面板以及薄膜晶体管阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其包括：

呈矩阵状设置的多个像素电极；

在所述各像素电极之间以相互平行地延伸的方式设置的多个源极线；

在与所述各源极线交叉的方向以相互平行地延伸的方式设置的多个栅极线；和

在所述各栅极线和各源极线的每个交叉部分别设置的多个薄膜晶体管，

该薄膜晶体管阵列基板的特征在于：

所述各薄膜晶体管包括：与所述各栅极线连接的栅极电极；以隔着栅极绝缘膜与该栅极电极重叠的方式呈岛状设置的第一半导体部；以隔着所述栅极绝缘膜和第一半导体部，与所述栅极电极重叠的方式设置，并与所述各源极线连接的源极电极；以隔着所述栅极绝缘膜和第一半导体部，与所述栅极电极重叠的方式设置，并与所述各像素电极连接的漏极电极；在所述栅极绝缘膜和源极电极之间以与所述栅极电极重叠的方式呈岛状设置的第二半导体部；和以隔着所述栅极绝缘膜和第二半导体部，与所述栅极电极重叠的方式设置的导电部，在所述源极电极和漏极电极短路而形成有短路部时，通过包括所述短路部、第二半导体部和导电部的开关元件使与该源极电极连接的源极线和与该漏极电极连接的像素电极导通。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：

所述导电部是在所述各源极线在所述各栅极线和各源极线的每个交叉部设置的、沿该各源极线延伸的旁路配线。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：

由所述源极电极和漏极电极规定的所述第一半导体部的沟道宽度和沟道长度被设定为与由所述源极电极和旁路配线规定的所述第二半导体部的沟道宽度和沟道长度相等。

4.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：

所述栅极电极由所述各栅极线的一部分构成，在该各栅极线，在所述源极电极和漏极电极的周围形成有狭缝。

5.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：

所述栅极电极具有所述各栅极线向侧面突出的突出部，

所述源极电极和漏极电极以与所述突出部重叠的方式设置。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：

所述导电部是设置于所述各栅极线和各源极线的每个交叉部，且沿所述源极电极延伸的浮置电极，

所述栅极电极由所述各栅极线的一部分构成，在该各栅极线以横穿所述漏极电极和浮置电极的方式形成有狭缝。

7.一种显示面板，其特征在于，包括：

权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板；

与所述薄膜晶体管阵列基板相对配置的对置基板；和

在所述薄膜晶体管阵列基板与对置基板之间设置的显示介质层。

8.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，该薄膜晶体管阵列基板包括：

呈矩阵状设置的多个像素电极；

在所述各像素电极之间以相互平行地延伸的方式设置的多个源极线；

在与所述各源极线交叉的方向以相互平行地延伸的方式设置的多个栅极线；和

在所述各栅极线和各源极线的每个交叉部分别设置的多个薄膜晶体管，

所述各薄膜晶体管包括：与所述各栅极线连接的栅极电极；以隔着栅极绝缘膜与该栅极电极重叠的方式呈岛状设置的第一半导体部；以隔着所述栅极绝缘膜和第一半导体部，与所述栅极电极重叠的方式设置，并与所述各源极线连接的源极电极；以隔着所述栅极绝缘膜和第一半导体部，与所述栅极电极重叠的方式设置，并与所述各像素电极连接的漏极电极；在所述栅极绝缘膜和源极电极之间以与所述栅极电极重叠的方式呈岛状设置的第二半导体部；和以隔着所述栅极绝缘膜和第二半导体部，与所述栅极电极重叠的方式设置的导电部，

该薄膜晶体管阵列基板的制造方法的特征在于，包括：

检查工序，从所述多个薄膜晶体管中检测所述源极电极和漏极电极短路而形成有短路部的薄膜晶体管；和

修正工序，在所述检查工序中检测到所述短路部时，对该薄膜晶体管进行该修正工序，通过包括所述短路部、第二半导体部和导电部的开关元件使与该源极电极连接的源极线和与该漏极电极连接的像素电极导通。