[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和具备它的显示面板以及薄膜晶体管阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管阵列基板和具备它的显示面板以及薄膜晶体管阵列基板的制造方法，特别是涉及薄膜晶体管阵列基板和具备它的显示面板的缺陷修正技术。

背景技术

在构成有源矩阵驱动方式的液晶显示面板的薄膜晶体管(以下，称为“TFT”)阵列基板，按照每个像素的最小单位即像素，作为开关元件设置有TFT。

例如，底栅型的TFT具备：栅极电极，其设置于绝缘基板上；栅极绝缘膜，其以覆盖栅极电极的方式设置；半导体层，其在栅极绝缘膜上以与栅极电极重叠的方式呈岛状设置；以及在半导体层上以相互对峙的方式设置的源极电极和漏极电极。

在此，在液晶显示面板中，在针对每个像素设置的TFT中，当具有导电性的异物、残余膜介于源极电极与漏极电极之间时，源极电极和漏极电极短路，存在其像素不正常地动作的情况，因此，提案有一种TFT阵列基板，在该TFT阵列基板中，针对每个像素设置有多个TFT(例如，参照专利文献1和2)。

例如，在专利文献1的图2～图4中公开有如下方式的有源矩阵基板：具备源极线、像素电极、对它们之间的电连接进行开关的第一TFT、和预备用的第二TFT，第二TFT具有形成有源极电极和漏极电极的半导体膜、以及隔着栅极绝缘膜设置于半导体膜上的栅极电极，源极线隔着比栅极绝缘膜厚的层间绝缘膜设置于第二TFT的半导体膜，并且在不能使用第一TFT时，通过在层间绝缘膜形成接触孔，能够与源极电极电连接，利用第二TFT能够实现源极线与像素电极间的电连接的开关。

专利文献1：日本特开2005-250448号公报

专利文献2：日本特开2002-182246号公报

近年来，构成液晶电视的液晶显示面板日益大型化，因此各像素扩大为例如长0.6mm×宽0.2mm程度。因此，在针对每个像素设置的TFT中的任一个，在源极电极和漏极电极短路而产生缺陷时，即使从短路的漏极电极切断产生该缺陷的像素的像素电极而进行黑点化的修正，该修正后的像素大而易被识别，因此液晶显示面板的显示品质降低。因此，在构成大型的液晶电视的液晶显示面板中，具备上述的针对每个像素设置多个TFT的TFT基板变得有用。

但是，如专利文献1及2所示，在一个像素设置与通常动作用的TFT同样的结构的预备用的TFT的情况下，对各像素的显示有效的区域的面积比率降低，开口率降低，因此，有改善的余地。

发明内容

本发明是鉴于该点而完成的，其目的在于尽可能地抑制开口率的降低，能够实现薄膜晶体管的源极电极和漏极电极的短路的修正。

为了实现所述目的，本发明在各薄膜晶体管中，在源极电极和漏极电极短路而形成短路部时，通过包含短路部、第二半导体部和导电部的开关元件导通源极线和像素电极。

具体地说，本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，其包括：呈矩阵状设置的多个像素电极；在上述各像素电极之间以相互平行地延伸的方式设置的多个源极线；在与上述各源极线交叉的方向以相互平行地延伸的方式设置的多个栅极线；和在上述各栅极线和各源极线的每个交叉部分别设置的多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管阵列基板的特征在于：

上述各薄膜晶体管包括：与上述各栅极线连接的栅极电极；以隔着栅极绝缘膜与该栅极电极重叠的方式呈岛状设置的第一半导体部；以隔着上述栅极绝缘膜和第一半导体部与上述栅极电极重叠的方式设置、并与上述各源极线连接的源极电极；以隔着上述栅极绝缘膜和第一半导体部与上述栅极电极重叠的方式设置、并与上述各像素电极连接的漏极电极；在上述栅极绝缘膜和源极电极之间以与上述栅极电极重叠的方式呈岛状设置的第二半导体部；以及以隔着上述栅极绝缘膜和第二半导体部与上述栅极电极重叠的方式设置的导电部，在上述源极电极和漏极电极短路而形成短路部时，通过包括上述短路部、第二半导体部和导电部的开关元件使与该源极电极连接的源极线和与该漏极电极连接的像素电极导通。