[发明专利]基板传送装置、基板传送方法以及真空处理装置有效
申请号: | 200880120677.1 | 申请日: | 2008-12-09 |
公开(公告)号: | CN101889339A | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 远山佳宏 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;B65G49/06 |
代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人: | 段迎春 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传送 装置 方法 以及 真空 处理 | ||
1.一种基板传送装置,向以垂直状态传送平板状的基板的托架交接所述基板,其特征在于,包括:
框架,其具有矩形的框体,并能够以沿水平方向延伸的转动轴为中心转动;
多个吸垫,其设置在所述框架上,吸附所述基板;
和驱动部,其使所述框架在水平状态和垂直状态之间转动,
所述转移机构在所述框架处于水平状态的情况下通过所述多个吸垫吸附处于水平状态的所述基板,在将所述基板保持在所述框架上的状态不变的情况下,使所述框架从水平状态向垂直状态转动,将处于垂直状态的所述基板交接至所述托架。
2.根据权利要求1所述的基板传送装置,其特征在于,
所述转移装置在所述框架处在垂直状态的情况下通过多个吸垫将被以垂直状态保持在所述托架的基板吸附并接受,在将所述基板保持在所述框架上的状态不变的情况下,使所述框架从垂直状态向水平状态转动。
3.根据权利要求1或者2所述的基板传送装置,其特征在于,
所述转移机构配置在所述框架的框体内侧并包含传送部,该传送部在所述框架处于水平状态的情况下传送所述基板,
所述驱动部将所述框架以能够沿垂直方向上下移动的形式进行支承,
所述转移机构将所述框架移动至比所述传送部更靠下方的位置并通过所述传送部传送所述基板,在所述基板位于所述框架上方的状态下将所述框架移动至比所述传送部更靠上方的位置并吸附所述基板。
4.根据权利要求1-3中的任意一项所述的基板传送装置,其特征在于,
在所述框架设定有对于所述基板的多个吸附区域,在所述各吸附区域中至少含有1个吸垫,包含在相同的吸附区域内的吸垫被供给相同的负压,所述各吸附区域的负压可以互相独立地控制。
5.根据权利要求4所述的基板传送装置,其特征在于,
所述基板传送装置进一步具备:
多个管路,其与所述多个吸附区域相对应而设置,向各个相对应的所述吸垫供给负压;
连接在所述多个管路上的共同的负压源;
多个阀,其分别连接在所述多个管路上,开关各个相对应的所述管路;
和真空传感器,其分别配置在所述多个管路上,测定各个相对应的所述管路内的压力,
如果有在所述多个吸垫开始吸附所述基板后的预定时间内压力不变为预定值以下的管路,所述基板传送装置将该管路关闭。
6.根据权利要求4或者5所述的基板传送装置,其特征在于,
所述多个吸垫在所述框架的框体上排列为矩形,
所述框架的框体由上边部、下边部、右边部、左边部构成,
所述多个吸附区域包含:设定在所述上边部的上侧主吸附区域;设定在下边部的下侧主吸附区域;设定在右边部的右侧辅助吸附区域;和设定在左边部的左侧辅助吸附区域,
各个所述上侧主吸附区域及下侧主吸附区域分别含有至少2个以上的分割区域。
7.根据权利要求2所述的基板传送装置,其特征在于,
所述托架具有载置面,其支承处于垂直状态的所述基板的下端,
所述转移机构在所述框架处于垂直状态的情况下,通过所述多个吸垫将以垂直状态保持在所述托架上的基板吸附并接受的时候,所述转动轴位于比所述框架更远离所述托架、并且比所述托架的载置面更靠下侧的位置。
8.根据权利要求1-7中的任意一项所述的基板传送装置,其特征在于,
所述驱动部支承所述框架,使得所述框架可以沿垂直方向上下移动,并且可以相对于所述托架沿水平方向前后移动。
9.根据权利要求1-8中的任意一项所述的基板传送装置,其特征在于,
所述托架具有载置面,其支承处于垂直状态的所述基板的下端,
所述基板传送装置进一步具备位置传感器,其检测所述托架的所述载置面的高度,
所述驱动部支承所述框架使其可以沿垂直方向上下移动,
所述转移机构在将处于垂直状态的所述基板向所述托架交接时,根据所述位置传感器的检出结果使所述框架上下移动,使得所述基板的下端不接触所述载置面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造