[发明专利]衬底处理所用的举升销有效
申请号: | 200880120701.1 | 申请日: | 2008-12-09 |
公开(公告)号: | CN101897015A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 亚历山大·N·莱内尔;贝贺德札特·迈赫兰;保拉·瓦迪维亚 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 赵飞;南霆 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 所用 举升销 | ||
1.一种用于操作衬底承载座的承载表面上方的衬底的举升销,该举升销包含:
销杆,包含截面,所述截面具有至少三个等长边与三个圆角,且所述等长边及所述圆角为交错配置;
销头,位于所述销杆的端部,其中所述销头具有凸出承载面,且所述凸出承载面大于所述销杆的所述截面;以及
平坦部,位于所述凸出承载面的中间区域上,用以直接接触所述衬底。
2.如权利要求1所述的举升销,其中所述圆角为圆周的一部分,且所述销杆的所述截面为具有三个圆角的等边三角形。
3.如权利要求1所述的举升销,其中所述平坦部小于所述销杆的所述截面。
4.如权利要求1所述的举升销,其中当所述平坦部接触所述衬底时,所述凸出承载面与所述衬底的底面之间的夹角约为5度。
5.如权利要求1所述的举升销,其中所述平坦部为圆形区域。
6.如权利要求1所述的举升销,其中所述凸出承载面为圆形区域。
7.如权利要求1所述的举升销,其中所述销杆包含氧化铝。
8.一种衬底承载组件,用以操作位于其上方的衬底,所述衬底承载组件包含:
举升销组件,包含多个举升销,且每一个所述举升销包含;
销杆,包含截面,所述截面具有至少三个等长边与三个圆角,且所述等长边及所述圆角为交错配置;
销头,位于所述销杆的端部,其中所述销头具有凸出承载面,且所述凸出承载面大于所述销杆的所述截面;以及
平坦部,位于所述凸出承载面的中间区域上,用以直接接触所述衬底;以及
衬底承载座,具有多个销孔洞,所述举升销可移动穿过所述些销孔洞以操作所述衬底。
9.如权利要求8所述的衬底承载组件,其中所述销杆包含氧化铝。
10.如权利要求8所述的衬底承载组件,其中所述衬底承载座包含陶瓷材料。
11.如权利要求8所述的衬底承载组件,其中所述圆角为圆周的一部分,且所述销杆的所述截面为具有三个圆角的等边三角形。
12.如权利要求8所述的衬底承载组件,其中所述平坦部小于所述销杆的所述截面。
13.如权利要求8所述的衬底承载组件,其中当所述平坦部接触所述衬底时,所述凸出承载面与所述衬底的底面之间的夹角约为5度。
14.如权利要求8所述的衬底承载组件,其中所述平坦部为圆形区域。
15.如权利要求8所述的衬底承载组件,其中所述凸出承载面为圆形区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造