[发明专利]衬底处理所用的举升销有效
申请号: | 200880120701.1 | 申请日: | 2008-12-09 |
公开(公告)号: | CN101897015A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 亚历山大·N·莱内尔;贝贺德札特·迈赫兰;保拉·瓦迪维亚 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 赵飞;南霆 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 所用 举升销 | ||
技术领域
本发明是有关于一种半导体处理设备,且特别是有关于一种用于操作衬底的衬底承载组件的举升销。
背景技术
集成电路已演变成复杂的装置,其可以在单一芯片上包括数以百万计的组件(例如,晶体管、电容器和电阻器)。芯片设计的演变不断要求更快的电路和更高的电路密度。对集成电路密度的需求使得必须缩小集成电路组件的尺寸。
当集成电路组件的尺寸缩小时(例如,亚微米尺寸),粒子污染成为一个日益严重的问题。粒子污染来源之一就是用于使衬底与衬底承载座分隔开的举升销。举升销通常位于穿设在衬底承载座的导引孔内。举升销将衬底承载于其顶端,并穿越导引孔移动以升降衬底。目前问题在于,当举升销移动导引孔时,举升销与导引孔之间的接触所产生的粒子。
热处理也是一个在硅晶圆或其它衬底上制造硅及其它半导体集成电路通常需要的处理。在某些热处理系统中(例如快速热处理(RTP)处理、脉冲式辐射退火处理以及动态表面退火(DSA)处理),衬底承载组件可用于传导热量到衬底。公知位于衬底承载组件的导引孔内的举升销无法均匀地将热量传导到衬底。公知举升销在传导热量至衬底时,不是太快就是太慢,因而造成衬底表面产生热点及冷点。因此,目前有需求一种用于衬底处理的改良的衬底承载组件。
发明内容
因此,本发明的一个实施例是提供一种用于操作衬底承载座的承载表面上方的衬底的举升销。举升销的销杆包含截面,该截面具有交错配置的至少三个等长边与三个圆角。销头位于销杆的端部,其中销头具有凸出承载面,且凸出承载面大于销杆的截面。平坦部位于凸出承载面的中间区域上,用以直接接触衬底。
本发明的另一个实施例是提供一种衬底承载组件,其用以操作其上方的衬底。衬底承载组件包含举升销组件,且举升销组件包含多个举升销,而每一个举升销包含销杆。销杆的截面具有交错配置的至少三个等长边与三个圆角。销头位于销杆的端部,其中销头具有凸出承载面,且凸出承载面大于销杆的截面。平坦部位于凸出承载面的中间区域上,用以直接接触衬底。衬底承载座具有多个销孔洞,举升销可移动穿过销孔洞而操作衬底。
附图说明
为让本发明的上述特征更明显易懂,可配合参考实施例说明,其部分图示如附图式。须注意的是,虽然所附图式揭露本发明特定实施例,但其并非用以限定本发明之精神与范围,任何本领域一般技术人员可作出各种等效实施例。
图1图示根据本发明一个实施方式的一种衬底承载组件。
图2图示图1中衬底承载组件的举升销的放大图。
图3图示图1中举升销与衬底接触的放大图。
图4图示根据本发明一个实施方式的举升销位于销孔洞内时的截面图。
图5图示举升销的上视图。
图6图示举升销的底视图。
具体实施方式
以下的本发明的实施例是关于用于处理半导体衬底的衬底承载组件与举升销。当将衬底放置在承载表面上或从承载表面上移开时,举升销操作衬底承载座的承载表面上方的衬底。
请参照图1,其图示根据本发明一个实施方式的一种衬底承载组件100。衬底承载组件100安装于处理半导体衬底的室中。衬底承载组件100包含衬底承载座102以及举升销组件(具有超过3个举升销104)。衬底106为位于举升销104的顶部上。举升销104透过销孔洞102a而与衬底承载座102互动,以使衬底106相对于衬底承载座102而定位。衬底承载座102可由陶瓷材料所制成。
为了要减少粒子的产生与透过举升销104均匀加热衬底106,举升销104的改良设计分别图示于图2、图3、图4、图5以及图6中。
请参照图2,其图示图1中衬底承载组件100的举升销104的放大图。举升销104包含销杆104b以及销头104a。销头104a为销杆104b的端部以承载衬底106。销头104a具有凸出承载面105a,而平坦部105b位于凸出承载面105a的中心顶端位置。在本实施例中,凸出承载面105a与平坦部105b为大致圆形的区域,但其它形状亦能适用。举升销104通常由氧化铝(alumina)或其它适合的材料所制成。举升销104的柱形外表面可以另外加工处理以减少摩擦力与表面摩耗。例如,举升销104的柱形外表面可以为硬铬电镀(hard chromium plated)或经电解抛光,以减少摩擦力并使外表面增加硬度、光滑度又同时具有抗刮痕与腐蚀的功能。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880120701.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:薄膜型太阳能电池及其制造方法
- 下一篇:一种户外小型壁挂电源系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造