[发明专利]像素驱动电路有效

专利信息
申请号: 200880121697.0 申请日: 2008-10-29
公开(公告)号: CN101903936A 公开(公告)日: 2010-12-01
发明(设计)人: A·兰科夫;E·C·史密斯 申请(专利权)人: 剑桥显示技术有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 秦晨
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
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摘要:
搜索关键词: 像素 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种具有多个有源矩阵像素的有源矩阵光电子器件,每个所述像素包括像素电路,所述像素电路包括用于驱动像素的薄膜晶体管(TFT)和用于存储像素值的像素电容器,其中,所述TFT包括具有浮置栅极的TFT。

2.如权利要求1所述的有源矩阵光电子器件,其中,具有浮置栅极的所述TFT包括具有到所述TFT的栅极的一个或更多个连接的TFT,并且其中,所述栅极连接仅包括到所述TFT的所述栅极的电容耦合连接。

3.如权利要求2所述的有源矩阵光电子器件,其中,所述电容耦合栅极连接包括具有两个板的栅极连接电容器,其中,所述TFT包括源极-漏极金属层,其中,到所述TFT的所述栅极的所述电容耦合连接包括在所述源极-漏极金属层中图案化的连接,在所述源极-漏极金属层中图案化的所述连接包括所述栅极连接电容器的所述板中的一个,并且其中,所述TFT还包括栅极金属层,所述栅极金属层包括所述栅极连接电容器的所述板中的第二个。

4.如权利要求1或2所述的有源矩阵光电子器件,其中,所述浮置栅极被与所述TFT集成。

5.如前述权利要求中的任一项所述的有源矩阵光电子器件,其中,所述浮置栅极具有相关的浮置栅极电容,并且其中,所述像素电容器包括所述浮置栅极电容。

6.如前述权利要求中的任一项所述的有源矩阵光电子器件,其中,所述器件包括有机发光二极管(OLED)显示器,并且其中,所述像素电路包括由所述浮置栅极TFT驱动的OLED。

7.如权利要求6所述的有源矩阵光电子器件,其中,所述像素电路包括电压编程像素电路,并且其中,所述像素值包括阈值偏移电压值以使所述浮置栅极TFT的阈值电压偏移。

8.如权利要求7所述的有源矩阵光电子器件,其中,所述浮置栅极TFT具有两个浮置栅极连接,并且其中,所述电压编程像素电路被配置为使用第一浮置栅极连接来调整所述阈值偏移电压值并使用第二浮置栅极连接来存储用于像素的编程电压。

9.如权利要求8所述的有源矩阵光电子器件,其中,所述像素电路被配置为使得提供所述阈值电压偏移和所述编程电压的动作将编程电压存储在所述TFT的源极或漏极端子与所述浮置栅极之间的固有器件电容上。

10.如权利要求7、8或9所述的有源矩阵光电子器件,其中,所述像素电路包括耦合到所述TFT的浮置栅极连接以提供所述像素内的光学反馈的光电二极管。

11.如权利要求6至10中的任一项所述的有源矩阵光电子器件,还包括控制电路以控制所述像素电路,所述控制电路具有两个循环,即第一循环和第二循环,在第一循环中控制所述OLED使其被关闭并将所述阈值偏移电压值存储在所述集成浮置栅极电容器上,在第二循环中由经所述阈值偏移电压值调整的编程电压来设置所述OLED的亮度。

12.如权利要求6所述的有源矩阵光电子器件,其中,所述像素电路包括电流编程像素电路,并且其中,所述像素值包括与通过所述OLED的驱动电流对应的栅极-源极电压值,其基本上与施加于所述像素电路的编程电流成比例。

13.如权利要求12所述的有源矩阵光电子器件,其中,所述TFT具有两个浮置栅极连接,即第一浮置栅极连接和第二浮置栅极连接,并且其中,所述电流编程像素电路被配置为使得所述浮置栅极连接中的一个包括到电容器的连接以存储电压以便调制所述TFT的有效阈值电压。

14.如权利要求13所述的有源矩阵光电子器件,其中,所述第一浮置栅极连接被耦合到所述浮置栅极TFT的漏极连接。

15.如权利要求14所述的有源矩阵光电子器件,其中,所述第一浮置栅极连接经由至少一个选择TFT耦合到所述TFT的所述漏极连接以使得所述像素电路能够被选择以用于由所述编程电路进行编程。

16.如权利要求13、14或15所述的有源矩阵光电子器件,其中,所述像素电路包括耦合在浮置栅极TFT的漏极连接与所述第二浮置栅极连接之间的至少一个选择TFT。

17.如权利要求13、14或15所述的有源矩阵光电子器件,其中,所述像素电路包括耦合在所述像素电路的偏压连接与所述第一浮置栅极连接之间的至少一个选择TFT。

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