[发明专利]像素驱动电路有效
申请号: | 200880121697.0 | 申请日: | 2008-10-29 |
公开(公告)号: | CN101903936A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
发明(设计)人: | A·兰科夫;E·C·史密斯 | 申请(专利权)人: | 剑桥显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 驱动 电路 | ||
技术领域
本发明涉及用于有源矩阵光电子器件、特别是OLED(有机发光二极管)显示器的像素驱动电路。
背景技术
将描述本发明的实施例,其在有源矩阵OLED显示器中特别有用,虽然本发明的应用和实施例不限于此类显示器且可以用于其它类型的有源矩阵显示器以及某些实施例中也用于有源矩阵传感器阵列。
有机发光二极管显示器
在取决于所采用的材料的颜色范围内,可以使用包括聚合物、小分子和树形化合物的材料来制造有机发光二极管,其在这里包括有机金属LED。基于聚合物的有机LED的示例在WO 90/13148、WO95/06400和WO 99/48160中所有描述;基于树形化合物的材料的示例在WO 99/21935和WO 02/067343中有所描述;所谓的基于小分子的器件的示例在US 4,539,507中有所描述。典型的OLED器件包括两层有机材料,其中之一是一层诸如发光聚合物(LEP)、低聚物或发光低分子量材料的发光材料,且其中另一个是一层诸如聚噻吩衍生物或聚苯胺衍生物的空穴传输材料。
可以将有机LED沉积在像素矩阵中的衬底上以形成单色或多色像素化显示器。可以使用发红、绿、和蓝发光子像素的群组来构造多色显示器。所谓的有源矩阵显示器具有存储元件,通常为存储电容器,和晶体管,其与每个像素相关联(而无源矩阵显示器不具有此类存储元件并作为替代地被反复扫描以提供稳定图像的印象)。聚合物和小分子有源显示器驱动器的示例分别可以在WO 99/42983和EP0,717,446A中找到。
常常向OLED提供电流编程驱动,因为OLED的亮度由流过器件的电流确定,这确定其生成的光子的数目,而在简单的电压编程结构中,可能难以预测像素在被驱动时将出现什么样的亮度。
关于电压编程有源矩阵像素驱动电路的背景现有技术可以在Dawson等人(1998)在IEEE International Electron Device Meeting,San Francisco,Ca,875-878中所著的“The impact of the transientresponse of organic light emitting diodes on the design of activematrix OLED displays”中找到。关于电流编程有源矩阵像素驱动电路的背景现有技术可以在九州大学和Casio计算机有限公司的T.Shirasaki、T.Ozaki、T.Toyama、M.Takei、M.Kumagai、K.Sato、S.Shimoda、T.Tano、K.Yamamoto、K.Morimoto、J.Ogura和R.Hattori在特邀论文AMD3/OLED5-1,11th International DisplayWorkshops,8-10 December 2004,IDW’04 Conference Proceedingspp275-278中所著的“Solution for Large-Area Full-Color OLEDTelevision-Light Emitting Polymer and a-Si TFT Technologies”中找到。其它背景相关技术可以在US 5,982,462和JP2003/271095中找到。
从IDW’04论文中获取的图1a和1b示出示例性电流编程有源矩阵像素电路和相应时序图。在操作中,在第一阶段,暂时将数据线接地以使OLED的Cs和结电容放电(Vselect、Vreset高;Vsource低)。然后,应用数据宿Idata,使得相应的电流流过T3且Cs存储此电流所需的栅电压(Vsource是低的,使得无电流流过OLED,且T1导通,因此T3是被连接的二极管)。最后,将选择线撤销(de-assert)并将Vsource取为高,以便编程电流(由存储在Cs上的栅电压确定)流过OLED(IOLED)。
然而,存在对改善的像素驱动电路的需要。
发明内容
根据本发明的第一方面,因此提供了一种有源矩阵光电子器件,其具有多个有源矩阵像素,每个所述像素包括像素电路,该像素电路包括用于驱动像素的薄膜晶体管(TFT)和用于存储像素值的像素电容器,其中,所述TFT包括具有浮置栅极的TFT。
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