[发明专利]a-IGZO氧化物薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种非晶质In-Ga-Zn-O系氧化物薄膜的制备方法，其包括：使用如下氧化物烧结体作为溅射靶，使溅射功率密度为2.5-5.5W/cm²，在基板上进行直流溅射成膜；

该氧化物烧结体主要以铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)及氧(O)为构成元素，铟相对于铟和镓的合计量的原子数比[In]/([In]+[Ga])为20％-80％，锌相对于铟、镓及锌的合计量的原子数比[Zn]/([In]+[Ga]+[Zn])为10％-50％，电阻率为1.0×10^-1Ωcm以下。

2.权利要求1所述的制备方法，其中所述氧化物烧结体的相对密度为95％以上。

3.权利要求1或2所述的制备方法，其中成膜速度为

4.权利要求1-3中任一项所述的制备方法，其中在基板上进行直流溅射成膜后，进一步包括在含有一定浓度的氧的环境中，对得到的膜进行退火处理。

5.权利要求4所述的制备方法，其中退火处理时的环境中的氧浓度为100体积％。

6.一种薄膜晶体管的制备方法，其中包括使用权利要求1-5中任一项所述的制备方法形成有源层的工序。

7.一种有源矩阵驱动显示面板的制备方法，其中包括使用权利要求6所述的制备方法形成有源元件的工序。

8.一种氧化物烧结体，其是在权利要求1-5中任一项所述的制备方法中作为溅射靶使用的氧化物烧结体，其主要以铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)及氧(O)为构成元素，铟相对于铟和镓的合计量的原子数比[In]/([In]+[Ga])为20％-80％，锌相对于铟、镓及锌的合计量的原子数比[Zn]/([In]+[Ga]+[Zn])为10％-50％，电阻率为1.0×10^-1Ωcm以下。

9.权利要求8所述的氧化物烧结体，其中相对密度为95％以上。