[发明专利]具有宽松时序约束的NAND闪速存储器访问无效
申请号: | 200880123171.6 | 申请日: | 2008-12-15 |
公开(公告)号: | CN101911208A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 金镇祺 | 申请(专利权)人: | 莫塞德技术公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 宽松 时序 约束 nand 存储器 访问 | ||
1.一种存储器设备,包括:
NAND闪速存储器;
缓存器,所述缓存器提供对所述NAND闪速存储器的外部访问并且限定和所述外部访问相关的位宽;
将所述NAND闪速存储器耦合到所述缓存器的第一和第二数据路径,并且所述第一和第二数据路径的每一个适应所述位宽;和
耦合到所述NAND闪速存储器和所述缓存器的转换电路,所述第一和第二数据路径经过所述转换电路,并且所述转换电路配置为以交替顺序选择所述第一和第二数据路径。
2.一种存储器设备,包括:
NAND闪速存储器;
缓存器,该缓存器提供对所述NAND闪速存储器的外部访问并且限定和所述外部访问相关的位宽;和
将所述NAND闪速存储器耦合到所述缓存器的多个数据路径,并且每个所述数据路径适应所述位宽。
3.权利要求2的设备,包括具有多个组成缓存器部分的复合缓存器,该多个组成缓存器部分耦合到所述NAND闪速存储器的相关部分并且还耦合到各自对应的所述数据路径。
4.权利要求3的设备,其中,所述NAND闪速存储器的所述部分包含在所述NAND闪速存储器的单个存储面内。
5.权利要求3的设备,其中,所述NAND闪速存储器的所述部分被提供在所述NAND闪速存储器的多个存储面上。
6.权利要求2的设备,包括耦合到所述NAND闪速存储器和所述缓存器的转换电路,所述数据路径经过所述转换电路,并且所述转换电路配置为根据选择序列来选择所述数据路径。
7.权利要求6的设备,包括分别耦合到所述NAND闪速存储器的第一和第二部分的第一和第二组的所述数据路径。
8.权利要求7的设备,其中,所述NAND闪速存储器的所述第一和第二部分包含在所述NAND闪速存储器的单个存储面内。
9.权利要求7的设备,其中,所述NAND闪速存储器的所述第一和第二部分提供在所述NAND闪速存储器的各自不同的存储面内。
10.权利要求9的设备,其中,所述NAND闪速存储器包括多个所述存储面,其个数是2的乘幂。
11.权利要求7的设备,其中,所述选择序列使得对所述第一组中的所述数据路径的选择和对所述第二组中的所述数据路径的选择在时间上交错。
12.权利要求2到11的任一项的设备,包括分别耦合到所述NAND闪速存储器的第一、第二、第三和第四部分的第一、第二、第三和第四组的所述数据路径。
13.权利要求12的设备,其中,所述NAND闪速存储器的第一、第二、第三和第四部分被提供在所述NAND闪速存储器的多个存储面上。
14.权利要求13的设备,其中,所述多个存储面包括其个数为2的乘幂的多个所述存储面。
15.权利要求12的设备,其中,所述选择序列包括使得对所述第一组中的所述数据路径的选择和对所述第二组中的所述数据路径的选择在时间上交错的第一交错,并且还包括使得对所述第三组中的所述数据路径的选择和对所述第四组中的所述数据路径的选择在时间上交错的第二交错。
16.权利要求15的设备,其中,所述选择序列还包括使得对所述第一交错的选择和对所述第二交错的选择在时间上交错的第三交错。
17.权利要求6或者7的设备,其中,在所述选择序列中对所述数据路径的选择在时间上交错。
18.权利要求6到11的任一项的设备,其中,所述转换电路在所述NAND闪速存储器的读出访问期间将来自所述数据路径的信息多路复用到所述缓存器中,并且在所述NAND闪速存储器的写访问期间将来自所述缓存器的信息解多路复用到所述数据路径上。
19.权利要求2的设备,其中,第一和第二所述数据路径的每一个被配置为承载信息,而所述第一和第二数据路径中的另一个数据路径也承载信息。
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