[发明专利]采用激光加工制造SMD和通孔式熔断器的可制造性无效

专利信息
申请号: 200880123307.3 申请日: 2008-12-29
公开(公告)号: CN101911238A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: S·维亚纳;朱天羽 申请(专利权)人: 库帕技术公司
主分类号: H01H69/02 分类号: H01H69/02;H01H85/041;H01H85/046
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张兰英;丁晓峰
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 采用 激光 加工 制造 smd 通孔式 熔断器
【说明书】:

背景技术

本发明总地涉及电路保护器,更具体地说,涉及SMD(表面安装器件)和通孔式熔断器以及制造SMD和通孔式熔断器的方法。具体地说,本发明可应用于所有标准规格的SMD和通孔式熔断器,包括但不限于1206、0805、0603和0402熔断器以及所有非标准规格的熔断器。2006年9月28日作为美国专利公布20060214259公布的题目为“Hybrid Chip Fuse Assembly having Wire Leads And Fabrication Method”的美国专利申请11/091,665涉及通孔式熔断器并被以引用方式包含于此。

超小型电路保护器在尺寸和空间受到限制的各种应用场合非常有用,例如用在电子设备的电路板上,用以实现电子电路的密集封装和小型化。

陶瓷片型熔断器的典型制造方法是:在陶瓷或玻璃基板上沉积元件层;网掩印刷这个元件层而将其印刷到预定的厚度和宽度来使其达到一定的电阻;将绝缘的覆盖层附连在元件层上;将这样制成的结构物切割或分割成一个个熔断器。在进行网掩印刷操作时,元件层难以明确地限定。网掩印刷操作不能做到很精确,因而产生的元件层的边缘尖锐性不是很好。可以用光照蚀刻技术替代网掩印刷过程,但是光刻加工相当昂贵,因为它需要多个附加的加工步骤和较长的从订货到交货时间。

因此,需要有一种既简单有相当廉价的超小型电路保护器制造方法。此外,也需要有这样一种超小型电路保护器制造方法,其中元件层可设计成有一定的几何尺寸并且也有精细的边缘尖锐性。

附图说明

参照附图阅读下面给出的本发明的几个示例性实施例的说明将能更好地理解本发明的上述和其它特点和各个方面,各附图中:

图1是本发明的示例性实施例的电路保护器的立体图;

图2是本发明的示例性实施例的电路保护器沿着图1中的线2-2的侧视剖视图;

图3是描述电路保护器的示例性制造方法的流程图;

图4A-4J表示出本发明的某些示例性实施例的电路保护器处于不同的制造阶段;

图5是描述多个电路保护器的另一种示例性制造方法的流程图;

图6是结合于基板的元件层的多个间隔的且大体上平行的条的顶视图,按照本发明的示例性实施例,用这样的基板可成形出多个电路保护器;以及

图7A-7C是按照本发明的示例性实施例的有各种几何形状的熔断元件的示例性电路保护器的顶视图。

具体实施方式

图1是按照本发明的一个示例性实施例的电路保护器100的立体图。应能理解,这个图不是按比例绘制的,为了表示得清楚,各个构成部分的厚度被夸大了。

电路保护器100包括电绝缘材料的基板110、结合于基板110的顶面112的导电材料的元件层120、结合于元件层120的至少一部分的覆盖层130、以及结合于基板110的两个相反端部116和117的导电材料的端部端子140和142。端部端子140和142电地结合于元件层120,从而形成通过电路保护器100的电路。此外,可将标志150结合于覆盖层130的外表面。标志150可包括用于识别熔断器的某些特性的符号或颜色。这些特性可包括但不限于制造熔断器所用的技术、熔断器的覆盖区、熔断器的各项电特性和熔断器的额定安培数。在一个替换实施例中,可将覆盖层130结合于元件层120的至少一部分和基板110的至少一部分。

图2是本发明的示例性实施例的电路保护器100沿着图1中的线2-2的侧视剖视图。可以看到,电路保护器100还包括结合于元件层120(例如在其顶面上)的端部连接片160和162。端部端子140和142覆盖着基板110的两个相反的端部116和117并电地结合于端部连接片160和162。这样,端部端子140和142构成外部导电端子,可用于将电路保护器100连接在电路(未示)内。

在某些实施例中,元件层120可包括端部连接片160和162以及布置在端部连接片160和162之间并将它们电连接起来的熔断元件122。端部连接片160和162和熔断元件122可以是由元件层120成形的单片结构。此外,熔断元件122和端部连接片160和162可以各有预定的厚度。例如,端部连接片160和162的厚度可以至少等于熔断元件122的厚度。

在其它实施例中,端部连接片160和162可以是单独成形的并且都电地结合于元件层120。

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