[发明专利]使用来自翘曲数据的反馈的纳米形貌控制和优化

权利要求书

1.一种使用双面研磨机处理晶片的方法，所述双面研磨机至少具有研磨轮的对，所述方法包括：

接收通过翘曲测量设备获得的数据，所述翘曲测量设备用于测量通过所述双面研磨机研磨的晶片的翘曲，所接收的翘曲数据指示出所测量的翘曲；

基于所接收的翘曲数据预测所述晶片的纳米形貌；

基于所预测的所述晶片的纳米形貌确定研磨参数；

基于所确定的研磨参数调整所述双面研磨机的操作。

2.根据权利要求1的计算机方法，其中调整所述双面研磨机的操作包括向所述双面研磨机提供反馈，所述反馈包括所确定的研磨参数。

3.根据权利要求1的方法，其中所述确定包括基于所预测的所述晶片的纳米形貌确定移位参数，所述移位参数指示出为了改善通过所述双面研磨机随后研磨的晶片的纳米形貌而使所述研磨轮的对移动的量值。

4.根据权利要求1的方法，其中所述确定包括基于所预测的所述晶片的纳米形貌确定移位参数，所述移位参数指示出为了改善通过所述双面研磨机随后研磨的晶片的纳米形貌而使所述研磨轮的对移动的方向。

5.根据权利要求1的方法，还包括过滤所接收的翘曲数据，并且其中所述预测包括基于过滤的翘曲数据而预测所述晶片的纳米形貌。

6.根据权利要求1的方法，其中所述确定包括对所预测的所述晶片的纳米形貌应用模糊逻辑算法。

7.根据权利要求1的方法，其中所述预测包括计算所述晶片的表面的轮廓，并且其中所述确定包括基于计算出的轮廓的B环区域而确定研磨参数。

8.根据权利要求1的方法，其中通过所述双面研磨机研磨的所述晶片是未被蚀刻和未被抛光的。

9.根据权利要求1的方法，还包括抛光所述晶片并测量被抛光的晶片的纳米形貌。

10.根据权利要求9的方法，还包括基于被抛光的晶片的所测量的纳米形貌而进一步调整所述双面研磨机的操作。

11.一种改善通过双面研磨机研磨的晶片的纳米形貌的计算机执行的方法，所述双面研磨机至少具有研磨轮的对，所述方法包括：

接收数据，所述数据指示出通过所述双面研磨机研磨的晶片的轮廓；

执行模糊逻辑算法，以根据所接收的数据确定研磨参数；以及

向所述双面研磨机提供包括所确定的研磨参数的反馈，以调整其操作。

12.根据权利要求11的计算机执行的方法，其中所述确定包括基于所预测的所述晶片的纳米形貌而确定移位参数，所述移位参数指示出为了改善通过所述双面研磨机随后研磨的晶片的纳米形貌而使所述研磨轮的对移动的量值。

13.根据权利要求11的计算机执行的方法，其中所述确定包括基于所预测的所述晶片的纳米形貌而确定移位参数，所述移位参数指示出为了改善通过所述双面研磨机随后研磨的晶片的纳米形貌而使所述研磨轮的对移动的方向。

14.根据权利要求11的计算机执行的方法，其中所述接收包括接收通过翘曲测量设备获得的数据，所述翘曲测量设备用于测量通过所述双面研磨机研磨的晶片的翘曲，所述晶片是未被蚀刻和未被抛光的。

15.根据权利要求11的计算机执行的方法，其中所述接收包括接收通过测量设备获得的数据，所述测量设备用于测量通过所述双面研磨机研磨的晶片的厚度，所述晶片是未被蚀刻和未被抛光的。

17.根据权利要求11的方法，其中通过所述双面研磨机研磨的所述晶片是未被蚀刻和未被抛光的。

18.一种用于处理半导体晶片的系统，所述系统包括：

具有轮的对的双面研磨机，其用于研磨晶片；

测量设备，其用于测量指示出被研磨的晶片的轮廓的数据；以及

处理器，其被配置为根据所测量的数据和模糊逻辑算法确定研磨参数；

其中基于所确定的研磨参数调整所述双面研磨机的所述轮中的至少一个。

19.根据权利要求18的系统，其中所述测量设备是翘曲测量设备，其用于从被研磨的晶片获得翘曲数据，所述被研磨的晶片是未被蚀刻和未被抛光的，并且其中所述处理器是这样的处理器，其被配置为根据所测量的翘曲数据和模糊逻辑算法而确定研磨参数。