[发明专利]为细线和空间封装应用形成高密度金属布线的方法及由此形成的结构

权利要求书

1.一种方法，包括：

形成通过积聚结构与设置在所述积聚结构上的光敏材料的至少一个开口，其中所述积聚结构包括封装衬底的一部分；

用含金属纳米胶填充所述至少一个开口；以及

烧结所述含金属纳米胶，以在所述至少一个开口中形成整体性质金属结构。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：其中所述至少一个开口包括包含小于大约10微米的宽度以及相邻细导电线之间小于大约10微米的空间的至少一个细导电线开口。

3.如权利要求1所述的方法，还包括：其中所述至少一个开口包括至少一个通孔触点开口。

4.如权利要求1所述的方法，还包括：其中所述至少一个开口通过利用纳米压印和激光消融中至少之一来形成。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述整体性质金属结构包括金属触点通孔结构和金属导线结构中至少之一。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：其中烧结温度包括在不到大约60分钟小于280摄氏度。

7.一种方法，包括：

形成通过光敏材料和积聚结构的至少一个开口，其中所述光敏材料设置在所述积聚结构上，以及其中所述积聚结构包括封装衬底的一部分，并且其中所述至少一个开口包括小于10微米的宽度和相邻开口之间小于10微米的空间；

用含金属纳米胶填充所述至少一个开口；以及

烧结所述含金属纳米胶，以在所述至少一个开口中形成整体性质金属结构。

8.如权利要求7所述的方法，还包括：其中所述封装衬底包括高密度封装衬底和母板中至少之一。

9.如权利要求7所述的方法，还包括：其中所述含金属纳米胶包括纳米大小金属粒子、分散剂、反应速率控制试剂和添加剂。

10.如权利要求9所述的方法，还包括：其中所述含金属纳米胶包括包含直径大约6nm或以下的铜纳米粒子，并且其中所述分散剂包括链烷酸和胺化合物中至少之一，并且其中所述反应速率控制试剂包括胺化合物，并且其中所述添加剂包括溶剂。

11.如权利要求7所述的方法，还包括：其中烧结温度包括在不到大约60分钟或以下小于大约280摄氏度。

12.如权利要求11所述的方法，还包括：其中所述含金属纳米胶的烧结温度包括比所述整体性质金属结构的熔融温度更低的温度。

13.如权利要求9所述的方法，还包括：其中所述烧结从所述含金属纳米胶实质去除分散剂、反应速率控制试剂和添加剂，并且其中将所述金属纳米粒子变换成整体性质金属结构。

14.如权利要求7所述的方法，还包括：其中用含金属纳米胶填充所述至少一个开口包括挤压和丝网印刷中至少之一。

15.如权利要求7所述的方法，还包括：其中在填充所述至少一个开口之前将疏水材料应用到所述光敏材料。

16.如权利要求7所述的方法，还包括：其中用激光消融形成所述至少一个开口。

17.如权利要求7所述的方法，还包括：其中所述整体性质金属结构包括线宽大约10微米或以下以及线间距大约10微米或以下的金属导线结构。

18.一种结构，包括：

第一导电导线结构，设置在积聚材料中，其中所述积聚材料包括封装衬底的一部分；

第二导电导线结构，与所述第一导电导线结构相邻设置，其中所述第一和第二导电导线结构包括小于大约10微米的宽度以及所述第一与第二导电导线结构之间小于大约10微米的间距。

19.如权利要求18所述的结构，还包括：其中所述第一和第二导电导线结构包括包含整体金属性质的金属。

20.如权利要求18所述的结构，还包括：其中所述第一和第二导电导线结构包括金属导线结构。

21.如权利要求18所述的结构，还包括：其中所述封装衬底包括高密度封装衬底和母板中至少之一。

22.如权利要求19所述的结构，还包括：与所述第一和第二导电导线结构中至少之一相邻的通孔结构，其中所述通孔结构包括与所述第一和第二导电导线结构实质相同的材料。