[发明专利]为细线和空间封装应用形成高密度金属布线的方法及由此形成的结构

说明书

发明背景

微电子封装设计正朝愈加更细线路发展，以便满足更大功能性和更高速度的要求。这种趋势对高密度印刷电路板(PCB)和封装衬底提出增加的要求。使用现有布线技术来扩展常规封装积聚(build up)工艺(process)以满足更细线路尺寸在封装制造中产生了瓶颈。

附图说明

虽然本说明书以具体指出并明确主张被认为是本发明的权利要求书来结束，但是通过结合附图阅读以下对本发明的描述，本发明的优点可更易于确定，附图中：

图1a-1h表示根据本发明实施例的结构。

图2a-2b表示根据本发明实施例的结构。

图3a-3c表示根据本发明实施例的结构。

图4a-4c表示根据本发明实施例的结构。

图5表示根据本发明实施例的系统。

具体实施方式

在以下具体实施方式中，以附图为参照，附图以说明方式示出可实施本发明的具体实施例。充分详细地描述这些实施例，使本领域技术人员能够实施本发明。要理解，本发明的各个实施例虽然不同，但不一定相互排斥。例如，在不脱离本发明精神和范围的情况下，本文中结合一个实施例所述的具体功能、结构或特性可在其它实施例中实现。另外要理解，在不脱离本发明精神和范围的情况下，可修改每个所公开实施例中各个要素的位置或布置。因此，以下详细描述不是限制性的，本发明的范围仅由适当解释的随附权利要求书以及授权给权利要求书的全部等效范围定义。附图中，同样的标号在若干视图中表示相同或相似的功能性。

描述形成微电子结构的方法。那些方法可包括：形成通过积聚结构以及设置在积聚结构上的光敏材料的至少一个开口，其中积聚结构包括封装衬底的一部分；用含金属纳米胶填充该至少一个开口；以及烧结含金属纳米胶，以在该至少一个开口中形成整体性质金属结构。

例如，本发明的方法实现供封装应用中使用的细线/空间布线的制造。

例如，图1a-1h示出形成微电子结构的方法、例如用于形成封装结构的部分的方法的实施例。图1a示出封装结构100一部分的截面(在一个实施例中，封装衬底可包括有机衬底)。封装衬底100可例如包括诸如光致抗蚀剂材料的光敏材料102、积聚材料104(例如聚合物材料)和核心材料106。可使用其它聚合物材料来代替光致抗蚀剂，只要可通过适当的化学制品/工艺将它从积聚材料104中选择性地去除。封装衬底100还可包括至少一个通孔结构108和至少一个线结构110，它在一些实施例中可包括例如封装衬底100中导电通孔和导电布线的导电互连结构。

至少一个开口112a、112b可在光敏材料102和积聚材料104中/通过光敏材料102和积聚材料104形成。在一个实施例中，至少一个开口112a可包括可使触点111暴露于至少一个通孔结构108的通孔触点开口，并且至少一个开口112b可包括可包含到至少一个线结构110的触点113的细导电线开口。在一些实施例中，至少一个开口112a、112b可通过利用激光消融工艺和例如纳米压印工艺的压印工艺中至少之一来形成。

在一个实施例中，纳米压印工具314可用于形成通过光敏材料302和积聚材料304一部分的至少一个开口312a(图3a-3b)。然后，可利用激光消融工艺316来通过光敏材料302和积聚材料304形成到至少一个线结构310的至少一个开口312b，其中可暴露到至少一个线结构310的触点313(图3c)。在形成至少一个开口312b的激光消融工艺316期间，通过去除积聚材料304的剩余部分以使到至少一个通孔结构308的触点311暴露，也可完成/形成至少一个开口312a。

根据具体应用，光敏材料302和/或积聚材料304的厚度可改变。例如，如果难以同时制作通过光敏材料302和积聚材料304的压印，则可仅对光敏材料302执行纳米压印，之后跟随积聚材料304的激光消融。

在另一实施例中，第一激光消融工艺416a可用于形成通过光敏材料402和积聚材料404一部分的至少一个开口412a的一部分(图4a-4b)。然后，可利用第二激光消融工艺416b形成通过光敏材料402和积聚材料404二者的至少一个开口412b，其中可暴露到至少一个线结构410的触点413(图4c)。在形成至少一个开口412b的第二激光消融工艺416b期间，通过去除积聚材料404的剩余部分以使到至少一个通孔结构408的触点411暴露，也可完成/形成至少一个开口412a。