[发明专利]存储单元

权利要求书

1.一种用于制造集成电路的方法，该方法包括：

限定多个要形成器件的连续有源区；

形成在所述有源区之上延伸的多个导线；

将所述导线用作掩模，将掺杂剂引入到所述有源区中以形成掺杂区域；

提供所述掺杂区域之中的一些与导线之间的连接以形成第一电路部分和第二电路部分，所述有源区中的至少一个有源区在第一与第二电路部分之间是连续的；以及

在所述至少一个有源区中，提供所述掺杂区域之中的一些与导线之间的连接以在第一与第二电路部分之间形成二极管连接的彼此反向偏置的成对的晶体管，所述成对的晶体管被连接为使得在所述二极管连接的晶体管之间留下共用的未被连接的掺杂区域。

2.一种用于制造存储器的方法，该方法包括：

限定多个要形成器件的有源区，所述有源区包括第一掺杂类型的两个连续的有源区和相反的第二掺杂类型的两个连续的有源区；

形成从第一类型的有源区延伸到第二类型的有源区之上的多个导线；

将所述导线用作掩模，将第一类型的掺杂剂引入到第二类型的有源区中以形成多个第一类型的掺杂区域；

将第二类型的掺杂剂引入到第一类型的有源区中以形成多个第二类型的掺杂区域；

提供所述掺杂区域之中的一些与导线之间的连接以便形成第一存储单元和第二存储单元，所述存储单元每个都具有被形成在第一类型的每个有源区中的第一晶体管、以及被形成在第二类型的每个有源区中的第二晶体管，其中所述晶体管的控制端子由所述导线形成；以及

在第二类型的有源区之一中，在第一存储单元的相应第二晶体管与第二存储单元的第二晶体管之间，提供所述第一类型的掺杂区域之中的一些与导线之间的连接以在所述单元之间形成二极管连接的彼此反向偏置的成对的晶体管，所述成对的晶体管被连接为使得在所述二极管连接的晶体管之间留下共用的未被连接的第一类型的掺杂区域。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二类型的两个有源区被限定在第一类型的有源区之间。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中形成导线包括：针对每个单元，形成两个线，每个线均与第二类型的两个有源区相交。

5.根据权利要求2至4中的任一项所述的方法，其中第一和第二存储单元之中的每个进一步被形成为具有两个存取晶体管。

6.根据权利要求5所述的方法，其中第一和第二存储单元之中的每个被形成为在第一类型的每个有源区中具有所述存取晶体管之一。

7.根据权利要求2至6中的任一项所述的方法，其中提供连接包括：针对第一和第二单元之中的每个，将第一晶体管连接成第一交叉耦合对，并且将第二晶体管连接成第二交叉耦合对。

8.根据权利要求2至7中的任一项所述的方法，其中所述存储器被形成为SRAM。

9.一种存储器，包括：

形成有器件的多个有源区，所述有源区包括第一掺杂类型的两个连续的有源区和相反的第二掺杂类型的两个连续的有源区；

多个导线，其从第一类型的有源区延伸到第二类型的有源区之上；

第一和第二存储单元，所述存储单元每个均具有被形成在第一类型的每个有源区中的第一晶体管、以及被形成在第二类型的每个有源区中的第二晶体管；

所述单元之间的二极管连接的彼此反向偏置的成对的晶体管，所述成的对晶体管由第一类型的掺杂剂的区域形成，所述第一类型的掺杂剂被引入到第一存储单元的相应第二晶体管与第二存储单元的第二晶体管之间的第二类型的有源区之一中，所述掺杂剂在导线在第二类型的所述有源区之上延伸的地方被分隔，并且在所述二极管连接的晶体管之间存在共用的未被连接的第一类型的掺杂区域。

10.根据权利要求9所述的存储器，其中第二类型的两个有源区位于第一类型的有源区之间。

11.根据权利要求9或10所述的存储器，其中所述导线包括：针对每个单元，形成两个线，每个线均与第二类型的两个有源区相交。

12.根据权利要求9至11中的任一项所述的存储器，其中第一和第二存储单元之中的每个包括两个存取晶体管。

13.根据权利要求12所述的存储器，其中第一和第二存储单元之中的每个在第一类型的每个有源区中具有所述存取晶体管之一。