[发明专利]声表面波装置

权利要求书

1.一种声表面波装置，其特征在于，具备：

由LiNbO₃基板形成，且在上表面形成有多条槽的压电基板；以及

具有由在所述压电基板的上表面的多条槽中所填充的金属材料形成的多根电极指的IDT，

所述金属材料为选自Ag、Ni及Cr中的一种金属或者以这些金属至少一种为主体的合金形成。

2.根据权利要求1所述的声表面波装置，其特征在于，

在设声表面波的波长为λ的情况下，所述IDT的电极膜厚和所述LiNbO₃基板的欧拉角(0°±10°，θ，0°±10°)的θ为下述表1所示的组合中的一种。

[表1]

  电极材料  电极膜厚  欧拉角的θ  Ag  0.02λ≤Ag≤0.04λ  70°≤θ≤145°  Ag  0.04λ＜Ag≤0.08λ  70°≤θ≤142°  Ni  0.04λ≤Ni≤0.08λ  70°≤θ≤153°  Cr  0.02λ≤Cr≤0.04λ  70°≤θ≤145°  Cr  0.04λ＜Cr≤0.08λ  70°≤θ≤152°

3.根据权利要求1所述的声表面波装置，其特征在于，

还具备覆盖所述IDT及所述压电基板的由SiO₂或者以SiO₂为主成分的无机材料形成的电介质膜。

4.根据权利要求3所述的声表面波装置，其中，

在设所述声表面波的波长为λ的情况下，由所述IDT的λ标准化而形成的标准化膜厚、由作为所述电介质膜的SiO₂膜的λ标准化而形成的标准化膜厚、所述LiNbO₃基板的欧拉角(0°±10°，θ，0°±10°)的θ，为下述的表2～表4、表5～表7或者表8～表10所示的组合中的一种，

[表2]

表中的Ag膜厚及SiO₂膜厚表示各自的标准化膜厚×10²的值，

[表3]

表中的Ag膜厚及SiO₂膜厚表示各自的标准化膜厚×10²的值，

[表4]

表中的Ag膜厚及SiO₂膜厚表示各自的标准化膜厚×10²的值，

[表5]

表中的Ni膜厚及SiO₂膜厚表示各自的标准化膜厚×10²的值，

[表6]

表中的Ni膜厚及SiO₂膜厚表示各自的标准化膜厚×10²的值，

[表7]

表中的Ni膜厚及SiO₂膜厚表示各自的标准化膜厚×10²的值，

[表8]

表中的Cr膜厚及SiO₂膜厚表示各自的标准化膜厚×10²的值，

[表9]

表中的Cr膜厚及SiO₂膜厚表示各自的标准化膜厚×10²的值，

[表10]

表中的Cr膜厚及SiO₂膜厚表示各自的标准化膜厚×10²的值。