[发明专利]声表面波装置

说明书

技术领域

本发明涉及作为例如谐振器(rasonator)及带通滤波器(bandpass filter)使用的声表面波(surface acoustic wave)装置，更加详细而言，涉及具有使用在压电基板上的槽中所填充的金属来形成IDT的结构的声表面波装置。

背景技术

目前，作为谐振器及带通滤波器，声表面波装置被广泛地使用。例如下述专利文献1公开了在图36示意地表示剖面结构的声表面波装置1001。

在声表面波装置1001中，在LiTaO₃基板1002的上表面1002a上形成有多条槽1002b。向多条槽1002b中填充金属，由此形成具有由该金属形成的多根电极指的IDT 1003。以覆盖LiTaO₃基板1002的上表面1002a的方式层叠有SiO₂膜1004。因为LiTaO₃基板1002具有负频率温度系数TCF，所以，层叠具有正频率温度系数TCF的SiO₂膜1004，声表面波装置1001的频率温度系数TCF的绝对值减小。

另外，通过使用在多条槽1002b所埋入的金属形成IDT，在IDT中可以得到大的反射系数。具体公开了，当设表面波的波长为λ时，向槽1002b中填充的Al的厚度、即由Al形成的IDT的厚度设为0.04λ的情况下，每一根电极指的反射系数为0.05，电极厚度越大，可得到越大的反射系数。

另一方面，在下述专利文献2中公开了图37所示的声表面波装置。在声表面波装置1101中，在由LiTaO₃或者LiNbO₃形成的压电基板1102上形成有IDT 1103。另外，以覆盖IDT 1103的方式形成有保护膜1104。另一方面，在除了形成IDT 1103及保护膜1104的部分的剩余的区域形成有第一绝缘物层1105，该第一绝缘物层1105由和层叠IDT 1103及保护膜1104而成的层叠金属膜的厚度相同的SiO₂形成。而且，以覆盖第一绝缘物层1105的方式层叠有由SiO₂形成的第二绝缘物层1106。在此，作为IDT1103，通过使用比Al密度大的金属，可以增大反射系数的绝对值，可以抑制不期望的纹波(ripple)。

专利文献1：WO2006/011417A1

专利文献2：日本特开2004-112748号公报

在专利文献1记载的声表面波装置1001中，表示的主旨是，由Al形成的IDT的厚度越大，得到的反射系数的绝对值越大。然而，本申请发明人发现，只是简单地增大反射系数的绝对值，并不能得到良好的共振特性。即，在专利文献1记载的声表面波装置中，通过加厚由Al形成的电极的厚度，虽然可以增大反射系数的绝对值，但是，因为反射系数的符号为负，所以在通频带区域发生多个纹波，不能得到良好的共振特性。

在专利文献1中，对于IDT的厚度和反射系数的关系，只说明了在LiTaO₃基板上使用由Al形成的IDT的情况。另外，在专利文献1的段落0129中，虽然提示了在LiNbO₃基板也可以使用Au等之外的金属形成IDT，但只公开了由Au形成的IDT。

另一方面，在专利文献2中，如上所述，在使用由比Al密度更大的金属形成的IDT的情况下，虽然显示可以提高反射系数的绝对值的主旨，但没有特别提及可以将所得到的声表面波装置的电机械耦合系数增大。

另外，在向设于上述LiNbO₃基板上的槽中填充Au而形成IDT的结构中，存在如下问题：为得到充分大的电机械耦合系数k²而可以使用的LiNbO₃基板的欧拉角范围狭小。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种声表面波装置，其解除现有技术的欠缺，使用LiNbO₃基板作为压电基板，而且，不仅充分增大IDT的反射系数，还增大电机械耦合系数k²，可使用的LiNbO₃基板的欧拉角范围较宽，可以提高设计自由度。

根据本发明，提供一种声表面波装置，其特征在于，具备由LiNbO₃基板形成且在上表面形成有多条槽的压电基板、具有多根电极指的IDT，上述电极指由在上述压电基板的上表面的多条槽中所填充的金属材料形成，上述金属材料为由选自Ag、Ni及Cr中的一种金属或者以这些金属至少一种为主体的合金形成。