[发明专利]加饰部件

说明书

技术领域

本发明涉及发送接收电磁波的电子设备的框体等中使用的加饰部件。

背景技术

在以往的这种加饰部件中，通过对绝缘材料以导电材料的粒子不相互接触的方式进行蒸镀来得到了金属光泽(例如，专利文献1)。

专利文献1：日本特开2003-298326号公报

发明内容

在发送接收电磁波的装置中，为了在不屏蔽电磁波的情况下充分地确保天线的性能，金属部件的应用受到了限制。另一方面，为了提高装置的设计性，寻求呈现金属光泽的加饰部件。在上述专利文献1中，通过对绝缘材料以导电材料的粒子不相互接触的方式进行不连续蒸镀，由此在装饰部中得到了金属光泽。但是，在以往的加饰部件中，在绝缘部的整个面上形成有导电材料以使装饰部呈现金属色，但由于在导电材料的内部中流过电流，所以存在照射到装饰部的电磁波产生损耗，无法得到充分的天线特性的问题。

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种在不屏蔽电磁波的情况下呈现金属光泽的加饰部件。

在本发明的加饰部件中，在部材的表面形成有半导体层或者半金属层，该半导体层或者半金属层的膜厚是5nm以上，膜厚400nm～800nm时的平均透射率是65％以下并且平均反射率是20％以上。

根据本发明的加饰部件，与如以往那样使用了导电材料的情况相比，不会遮断电磁波的透射，作为便携电话等电子设备的框体，可以在确保金属光泽的基础上容易地确保规定的天线特性，并且与以往的不连续蒸镀相比，在实用上几乎不存在半导体膜或者半金属膜的膜厚的限制，所以制造容易且制造成本降低。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式1的加饰部件的剖面图。

图2是说明Ge的透射率特性的图。

图3是说明Ge的反射率特性的图。

图4是说明Si的透射率特性的图。

图5是说明以往的加饰部件的剖面图。

图6是说明用于研究电磁波的透射损耗的计算模型的图。

图7是说明计算出电磁波的透射损耗的结果的图。

图8是示出本发明的实施方式2的加饰部件的剖面图。

图9是示出本发明的实施方式3的加饰部件的剖面图。

符号说明

1：基材；2：半导体层或者半金属层；3：基底层；4：保护层；5：中间层；40：装饰部；41：绝缘部；42：导电材料。

实施方式

实施方式1.

图1是示出本发明的实施方式1的加饰部件的剖面图，是构成便携电话框体的图样的部件。在基材1的表面形成有半导体层或者半金属层2。

构成基材1的材料例如是聚碳酸酯树脂(PC树脂)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯树脂(ABS树脂)、PC树脂与ABS树脂的聚合物合金(PC+ABS树脂)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA树脂)、以及聚酰胺树脂(PA树脂)等树脂、或者掺合了玻璃纤维等填充剂而得到的树脂等绝缘体。

另外，作为半导体层或者半金属层2，作为代表可以举出锗Ge、硅Si、阿尔法-锡α-Sn、硒Se、以及碲Te，只要是呈现金属光泽的材料，就没有特别限制，但作为不会对电磁波造成影响的范围，如果半导体或者半金属的电导率是10³S/m以下则是更优选的。

在此，半金属是指，虽然呈现金属性传导，但与通常的金属相比电气电阻更大的元素。在长周期型周期表中，连接硼B与砹At的斜线是金属与非金属的边界线，表示在该边界线附近的元素、即硼B、碳C、硅Si、磷P、锗Ge、砷As、硒Se、锡Sn、碲Te、铋Bi、钋Po、以及砹At)中，去除半导体(Ge、Si、α-Sn、Se、Te)而得到的元素。

例如可以通过真空蒸镀来形成半导体层或者半金属层2。举出形成方法的一个例子。在真空蒸镀装置的规定位置设置基材1，作为蒸镀材料，将粒状的Ge设置在用钨形成的丝上。对真空蒸镀装置进行真空排气，在达到了规定的真空度的状态下，对钨丝进行通电，使Ge一下子蒸发，并使其堆积到基材1上而形成半导体层或者半金属层2。这样的薄膜形成方法是所谓的被称为闪蒸蒸镀(flash deposition)的方法，可以抑制针对基材的热影响，适合于向树脂基材形成薄膜。另外，在真空蒸镀中，还有通过电子束使材料熔融的方法，但一般情况下由于蒸发材料的辐射热较大，所以在使用不喜欢热影响的基材的情况下需要较大的真空槽。