[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：

硅衬底；

栅极绝缘膜，其形成在上述硅衬底上；

栅电极，其形成在上述栅极绝缘膜上；

沟槽，其形成在既是上述栅电极的两侧又是上述硅衬底的表面的位置上；

第一半导体层，其覆盖上述沟槽的底面及侧面，并且含有Ge；

第二半导体层，其形成在上述第一半导体层上，并且以比上述第一半导体层的Ge含有率低的含有率含有量的Ge；

第三半导体层，其形成在上述第二半导体层上，并且含有Ge。

2.根据权利要求1记载的半导体器件，其特征在于，

上述第三半导体层的Ge含有率比上述第二半导体层的Ge含有率高。

3.根据权利要求2记载的半导体器件，其特征在于，

上述第一半导体层的Ge含有率为25％～35％。

4.根据权利要求2记载的半导体器件，其特征在于，

上述第二半导体层的Ge含有率为20％以下。

5.根据权利要求2记载的半导体器件，其特征在于，

上述第三半导体层的表面的高度与上述硅衬底和上述栅极绝缘膜之间的交界面的高度相同，或者，上述第三半导体层的表面位于该交界面的上方。

6.根据权利要求3记载的半导体器件，其特征在于，

上述第一半导体层、上述第二半导体层及上述第三半导体层为SiGe层。

7.根据权利要求6记载的半导体器件，其特征在于，

上述第一半导体层的膜厚为30nm以下。

8.根据权利要求1记载的半导体器件，其特征在于，

在上述第一半导体层、上述第二半导体层及上述第三半导体层中导入有杂质，上述第一半导体层及上述第三半导体层的杂质浓度比上述第二半导体层的杂质浓度高。

9.根据权利要求8记载的半导体器件，其特征在于，

上述第二半导体层的杂质浓度为5×10²⁰cm^-3～1×10²¹cm^-3。

10.一种半导体器件，其特征在于，具有：

硅衬底；

栅极绝缘膜，其形成在上述硅衬底上；

栅电极，其形成在上述栅极绝缘膜上；

沟槽，其形成在既是上述栅电极的两侧又是上述硅衬底的表面的位置上；

第一半导体层，其覆盖上述沟槽的底面及侧面，并且含有C；

第二半导体层，其形成在上述第一半导体层上，并且以比上述第一半导体层的C含有率低的含有率含有C；

第三半导体层，其形成在上述第二半导体层上，并且含有C。

11.根据权利要求10记载的半导体器件，其特征在于，

上述第三半导体层的C含有率比上述第二半导体层的C含有率高。

12.根据权利要求11记载的半导体器件，其特征在于，

上述第一半导体层的C含有率为1％～2.5％。

13.根据权利要求11记载的半导体器件，其特征在于，

上述第二半导体层的C含有率为1％以下。

14.根据权利要求11记载的半导体器件，其特征在于，

上述第三半导体层的表面的高度与上述硅衬底和上述栅极绝缘膜之间的交界面的高度相同，或者，上述第三半导体层的表面位于该交界面的上方。

15.根据权利要求12记载的半导体器件，其特征在于，

上述第一半导体层、上述第二半导体层及上述第三半导体层为SiC层。

16.根据权利要求15记载的半导体器件，其特征在于，

上述第一半导体层的膜厚为30nm以下。

17.根据权利要求10记载的半导体器件，其特征在于，

在上述第一半导体层、上述第二半导体层及上述第三半导体层中导入有杂质，上述第一半导体层及上述第三半导体层的杂质浓度比上述第二半导体层的杂质浓度高。