[发明专利]氧化硅单块体包覆方法和分离介质有效
| 申请号： | 200880125938.9 | 申请日： | 2008-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN101932525A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 宫崎将太;寺岛弘之;入道正彦;大平真义;森里惠;古野正浩 | 申请（专利权）人： | 技迩科学有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12;B01D15/08;B01J20/10;B01J20/28;B01J20/32;G01N30/88 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 块体 方法 分离 介质 | ||
1.一种氧化硅单块体的包覆方法，其特征在于，用与氧化硅单块体主要成分相同的玻璃体包覆成型为棒状的氧化硅单块体的侧面表面，在玻璃体的熔融温度下利用适宜的压力使该氧化硅单块与该玻璃体熔融粘结。
2.权利要求1所述的氧化硅单块体的包覆方法，其特征在于，使成型为棒状的氧化硅单块体的侧面表面与玻璃体全面地或在一部分熔融粘结。
3.权利要求1或2所述的氧化硅单块体的包覆方法，其特征在于，利用温度使成型为棒状的氧化硅单块体与包覆在该单块体的侧面表面上的玻璃体的熔融粘结控制自如。
4.权利要求1～3中任何一项所述的氧化硅单块体的包覆方法，其特征在于，用玻璃体包覆成型为棒状的氧化硅单块体的侧面表面后，对氧化硅单块体实施化学修饰。
5.一种氧化硅单块体的包覆方法，其特征在于，用玻璃体包覆成型为棒状的氧化硅单块体的侧面表面后，对氧化硅单块体实施化学修饰。
6.一种分离介质，其特征在于，用与氧化硅单块体主要成分相同的玻璃包覆成型为棒状的氧化硅单块体的侧面表面，使它们熔融粘结。
7.权利要求6所述的分离介质，其特征在于，成型为棒状的氧化硅单块体的侧面表面的全部或一部分与玻璃熔融粘结。
8.一种分离介质，其特征在于，用玻璃体包覆成型为棒状的氧化硅单块体的侧面表面后，实施该氧化硅单块体的化学修饰。
9.权利要求6～8中任一项所述的分离介质，其特征在于，在所述氧化硅单块体的至少一面设置敞开部。
10.权利要求6～9中任一项所述的分离介质，其特征在于，在所述玻璃的外侧施加保护层。
11.权利要求10所述的分离介质，其特征在于，在所述玻璃的外侧与所述保护层之间施加涂层。
12.权利要求10或11所述的分离介质，其特征在于，所述保护层由选自金属、合成高分子的一种或其混合物形成。
13.权利要求11或12所述的分离介质，其特征在于，所述涂层含有合成高分子而形成。
14.权利要求6～13中任一项所述的分离介质，所述分离介质是HPLC柱、GC柱、柱色谱用柱、预处理用柱、保护柱、固相萃取柱、被动式采样器的任何一种。
15.使用权利要求6～14中任一项所述的分离介质的分析方法。
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