[发明专利]外部输入输出信号与DRAM更新信号的再同步化方法及其电路无效

专利信息
申请号: 200880126508.9 申请日: 2008-10-20
公开(公告)号: CN101939790A 公开(公告)日: 2011-01-05
发明(设计)人: 田中晋介;妹尾大吾 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406;G06F12/00;G11C29/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 外部 输入输出 信号 dram 更新 同步 方法 及其 电路
【权利要求书】:

1.一种半导体电路,具有:

DRAM;

CPU,其从所述DRAM取得命令进行动作;

DRAM控制器,其用于按照来自所述CPU的访问信号发布DRAM访问指令,并且定期发布DRAM更新指令;和

多个外部端子;

其特征在于,

通过进行所述多个外部端子中的几个输入输出信号与所述DRAM更新指令的再同步化,使所述CPU多次执行所述DRAM上的相同内容的命令时的命令执行时间每次为相同的长度。

2.根据权利要求1所述的半导体电路,其特征在于,

与所述CPU多次执行所述DRAM上的相同内容的命令时的所述输入输出信号相关的动作时间,不依赖于命令执行的开始定时而总是唯一确定。

3.根据权利要求1所述的半导体电路,其特征在于,

还具有用于对所述DRAM更新指令的发布定时进行确定的更新计时器。

4.根据权利要求3所述的半导体电路,其特征在于,

以来自所述CPU的命令将所述更新计时器初始化为某一值。

5.根据权利要求3所述的半导体电路,其特征在于,

通过从所述多个外部端子中的1个外部端子输入信号,将所述更新计时器初始化为某一值。

6.根据权利要求3所述的半导体电路,其特征在于,

通过从所述多个外部端子中的1个外部端子输入信号,不使用所述更新计时器而直接控制所述DRAM更新指令的发布。

7.一种系统,其特征在于,具备:

权利要求1所述的半导体电路;和

外部装置,其从所述多个外部端子中的1个外部端子向所述半导体电路供给输入信号,使所述半导体电路动作。

8.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,

所述外部装置是向所述半导体电路供给所述输入信号,并在固定时间后对来自所述半导体电路的输出信号进行判定,确定之后的动作的外部判定装置。

9.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,

所述外部装置是半导体测试装置。

10.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,

所述外部装置是FPGA或CPLD等可编程的硬件。

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