[发明专利]外部输入输出信号与DRAM更新信号的再同步化方法及其电路无效
申请号: | 200880126508.9 | 申请日: | 2008-10-20 |
公开(公告)号: | CN101939790A | 公开(公告)日: | 2011-01-05 |
发明(设计)人: | 田中晋介;妹尾大吾 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406;G06F12/00;G11C29/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 外部 输入输出 信号 dram 更新 同步 方法 及其 电路 | ||
1.一种半导体电路,具有:
DRAM;
CPU,其从所述DRAM取得命令进行动作;
DRAM控制器,其用于按照来自所述CPU的访问信号发布DRAM访问指令,并且定期发布DRAM更新指令;和
多个外部端子;
其特征在于,
通过进行所述多个外部端子中的几个输入输出信号与所述DRAM更新指令的再同步化,使所述CPU多次执行所述DRAM上的相同内容的命令时的命令执行时间每次为相同的长度。
2.根据权利要求1所述的半导体电路,其特征在于,
与所述CPU多次执行所述DRAM上的相同内容的命令时的所述输入输出信号相关的动作时间,不依赖于命令执行的开始定时而总是唯一确定。
3.根据权利要求1所述的半导体电路,其特征在于,
还具有用于对所述DRAM更新指令的发布定时进行确定的更新计时器。
4.根据权利要求3所述的半导体电路,其特征在于,
以来自所述CPU的命令将所述更新计时器初始化为某一值。
5.根据权利要求3所述的半导体电路,其特征在于,
通过从所述多个外部端子中的1个外部端子输入信号,将所述更新计时器初始化为某一值。
6.根据权利要求3所述的半导体电路,其特征在于,
通过从所述多个外部端子中的1个外部端子输入信号,不使用所述更新计时器而直接控制所述DRAM更新指令的发布。
7.一种系统,其特征在于,具备:
权利要求1所述的半导体电路;和
外部装置,其从所述多个外部端子中的1个外部端子向所述半导体电路供给输入信号,使所述半导体电路动作。
8.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,
所述外部装置是向所述半导体电路供给所述输入信号,并在固定时间后对来自所述半导体电路的输出信号进行判定,确定之后的动作的外部判定装置。
9.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,
所述外部装置是半导体测试装置。
10.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,
所述外部装置是FPGA或CPLD等可编程的硬件。
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