[发明专利]TFT、移位寄存器、扫描信号线驱动电路、开关电路和显示装置

权利要求书

1.一种TFT，其设置有栅极电极、第一源极·漏极电极和第二源极·漏极电极，所述第一源极·漏极电极和所述第二源极·漏极电极中的一方为源极电极且另一方为漏极电极，该TFT的特征在于：

以在膜厚方向隔着绝缘膜与所述栅极电极相对的方式，设置有使用半导体材料的i层和依次层叠有所述i层与n⁺层的层叠体，

所述第一源极·漏极电极配置在第一区域内的所述n⁺层上，所述第一区域为设置有所述i层的面板面内的区域，

所述第二源极·漏极电极包括：设置于所述第一区域外的电极线；和从所述电极线分支延伸的多个支电极，

各所述支电极从所述电极线延伸至所述第一区域内的所述n⁺层上，

在所述第一源极·漏极电极与位于所述第一区域内的所述支电极之间，该第一源极·漏极电极在面板面内方向夹着在所述第一区域中以不存在所述n⁺层的方式形成的所述i层的图案，

所述支电极与所述第一区域开始交叉的第一部位的所述第一区域的外缘，相比于所述支电极与在膜厚方向观看所述栅极电极时的所述栅极电极的区域开始交叉的第二部位的所述栅极电极的外缘，位于所述电极线一侧，或者，所述第一部位的所述第一区域的外缘与所述第二部位的所述栅极电极的外缘位于相同的位置，

作为从所述第一部位的所述第一区域的外缘至所述电极线的距离的第一距离为5μm以上。

2.如权利要求1所述的TFT，其特征在于：

所述第一距离为10μm以下。

3.如权利要求1或2所述的TFT，其特征在于：

在所述第一部位的跟前的所述支电极的线宽度方向的一端或两端，设置有使所述支电极的线宽度变窄的切口部。

4.一种TFT，其设置有栅极电极、第一源极·漏极电极和第二源极·漏极电极，所述第一源极·漏极电极和所述第二源极·漏极电极中的一方为源极电极且另一方为漏极电极，该TFT的特征在于：

以在膜厚方向隔着绝缘膜与所述栅极电极相对的方式，设置有使用半导体材料的i层和依次层叠有所述i层与n⁺层的层叠体，

所述第一源极·漏极电极配置在第一区域内的所述n⁺层上，所述第一区域为设置有所述i层的面板面内的区域，

所述第二源极·漏极电极包括：设置于所述第一区域外的电极线；和从所述电极线分支延伸的多个支电极，

各所述支电极从所述电极线延伸至所述第一区域内的所述n⁺层上，

在所述第一源极·漏极电极与位于所述第一区域内的所述支电极之间，该第一源极·漏极电极在面板面内方向夹着在所述第一区域中以不存在所述n⁺层的方式形成的所述i层的图案，

所述支电极与所述第一区域开始交叉的第一部位的所述第一区域的外缘，相比于所述支电极与在膜厚方向观看所述栅极电极时的所述栅极电极的区域开始交叉的第二部位的所述栅极电极的外缘，位于远离所述电极线的一侧，

作为从所述第二部位的所述栅极电极的外缘至所述电极线的距离的第二距离为5μm以上。

5.如权利要求4所述的TFT，其特征在于：

所述第二距离为10μm以下。

6.如权利要求4或5所述的TFT，其特征在于：

在所述第二部位的跟前的所述支电极的线宽度方向的一端或两端，设置有使所述支电极的线宽度变窄的切口部。

7.如权利要求1至6中任一项所述的TFT，其特征在于：

在所述电极线的所述支电极的分支点的一侧或两侧，设置有使所述电极线的线宽度变窄的切口部。

8.如权利要求1至7中任一项所述的TFT，其特征在于：

所述半导体材料是非晶硅。

9.如权利要求1至7中任一项所述的TFT，其特征在于：

所述半导体材料是微晶硅。

10.一种移位寄存器，其特征在于：

作为构成各级的晶体管的至少1个，具有权利要求1至9中任一项所述的TFT。

11.一种扫描信号线驱动电路，其特征在于：

包括权利要求10所述的移位寄存器，使用所述移位寄存器生成显示装置的扫描信号。