[发明专利]TFT、移位寄存器、扫描信号线驱动电路、开关电路和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及在显示面板中以单片集成的方式制作的晶体管的结构。

背景技术

近年来，在液晶面板上由非晶硅形成栅极驱动器以实现成本削减的栅极单片集成化正在进行。栅极单片也称为无栅极驱动器(gate driver less)、面板内置栅极驱动器、栅极置入面板等。

因为使用非晶硅的TFT移动度小，所以需要大的驱动电压，为了利用扫描脉冲对扫描信号线的配线电容进行充电，必须制作mm数量级、cm数量级这样相当大的沟道宽度的TFT。

图8是表示专利文献1所记载的这种TFT的结构的俯视图。该TFT由非晶硅制成，包括栅极电极线310、漏极电极线330和源极电极线350。

漏极电极线330由从栅极电极线310的外侧延伸的主体·漏极线332、从主体(body)·漏极线332分支的手形(hand)·漏极线334和从手形·漏极线334垂直地分支的指形(finger)·漏极线336构成。手形·漏极线334形成于未形成有栅极电极线310的区域，指形·漏极线336形成于形成有栅极电极线310的区域。

源极电极线350包括从栅极电极线310的外侧延伸的主体·源极线352、从主体·源极线352分支的手形·源极线354和从手形·源极线354垂直地分支的指形·源极线356。手形·源极线354形成于未形成有栅极电极线310的区域，指形·源极线356形成于形成有栅极电极线310的区域。

在上述TFT中，U字形状的指形·源极线356包围I字形状的指形·源极线336，在两者之间形成有沟道。

图9表示同样记载于引用文献1的一种结构，该结构能够作为U字形状的指形·源极线356包围1个I字形状的指形·源极线336的部分TFT区域200使用。其中，在图9中，由栅极电极线210、源极电极线230和漏极电极线240构成该部分TFT区域200并标注附图标记。此外，栅极电极线210，在图8的结构中，沿手形·漏极线334和手形·源极线354的延伸方向，在其它部分TFT区域200中也连续地延伸。

在图9中，沟道宽度W以2×DL1+DL2表示，这是源极电极线230的该源极电极线230与沟道区域的边界线的长度和漏极电极线240的该漏极电极线240与沟道区域的边界线的长度的平均距离。此外，沟道长度L是源极电极线230的该源极电极线230与沟道区域的边界线和漏极电极线240的该漏极电极线240与沟道区域的边界线之间的距离。在引用文献1中，通过并列连接这样的多个部分的TFT区域200，使沟道宽度W非常大，并且将栅极电极与漏极电极之间的寄生电容抑制得较小。

专利文献1：日本国公开专利公报“特开2004-274050号公报(公开日：2004年9月30日)”

专利文献2：日本国公开专利公报“特开2001-330853号公报(公开日：2001年11月30日)”

专利文献3：日本国公开专利公报“特开平3-50731号公报(公开日：1991年3月5日)”

专利文献4：日本国公开专利公报“特开平2-277027号公报(公开日：1990年11月13日)”

发明内容

但是，如专利文献1所记载的那样，在现有的具有梳齿状的源极·漏极结构的TFT中存在如下所述的问题，即，只要源极电极与漏极电极之间任一个部位发生漏电，就会导致整个TFT的特性异常。

例如，如图10(a)所示，在栅极电极线101上方的区域，源极电极线102的1个指形·源极线102a与漏极电极线103的1个指形·漏极线103a由于工序不良情况等发生短路的情况下，源极电极线102整体与漏极电极线103整体发生短路，因此TFT整体变得不正常地动作。但是，在这种情况下，只要利用激光熔断将短路的指形·漏极线103a在点P从漏极电极线103的主体分离，便能够正常使用TFT整体。

但是，在现有的TFT，因为从漏极电极线103的主体至栅极电极线101上方的区域的距离较小，所以当想要将指形·漏极线103a激光熔断时，激光·光点的范围会达到设置于栅极电极线101上方的区域的层。

图10(b)表示在图10(a)中截面通过指形·漏极线103a的延伸方向中心的C-C’线剖视图。