[发明专利]MEMS谐振器结构以及结合所述谐振器结构使用的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求享有2007年12月18日提交的发明名称为“MEMSRESONATOR STRUCTURE AND METHOD”的美国申请No.12/002,936的优先权，在此通过引用将其全文并入。

技术领域

本发明涉及微机电或纳米机电谐振器结构以及结合所述谐振器结构使用的方法。

通常，高品质(“Q”)因数的微机电谐振器被认为是频率参考和滤波器的有希望选择。然而，为了实现更高的频率，这种谐振器的尺度正在越缩越小。更小的尺度导致驱动和/或感测电容变小，这可能又对谐振器的信号强度、稳定性和/或“Q”因数造成不利影响。

需要一种有助于克服上述一个、一些或所有缺点的谐振器结构。其中需要具有增加的驱动和/或信号电容的微机电和/或纳米机电谐振器，以增加谐振器的信号强度，稳定性和/或“Q”因数。

发明内容

这里描述和说明了许多发明。本发明既不局限于任何单个方面也不局限于实施例，也不局限于这样的方面和/或实施例的任意组合和/或置换。而且，可以单独采用或者结合本发明和/或实施例的其它方面中的一个或者多个采用本发明的每个方面和/或实施例。出于简化目的，这里将不单独讨论许多这样的置换和组合。

这里描述和说明了许多发明。本发明既不局限于任何单个方面也不局限于实施例，也不局限于这样的方面和/或实施例的任意组合和/或置换。而且，可以单独采用或者结合本发明和/或实施例的其它方面中的一个或者多个采用本发明的每个方面和/或实施例。出于简化目的，这里将不单独讨论许多这样的置换和组合。

在本发明的一个方面中，一种微机电谐振器包括以体模式振动的谐振器块，所述振动包括所述谐振器块至少部分沿第一方向和第二方向中的至少一个方向收缩的第一状态，并且其中在所述第一状态下，所述谐振器块至少部分沿第三方向和第四方向中的至少一个方向膨胀，所述第二方向与所述第一方向相反，所述第四方向与所述第三方向相反，其中，所述谐振器块包括：第一多个区域，所述第一多个区域分别具有密度；以及第二多个区域，所述第二多个区域分别具有密度，其中所述第二多个区域中的每一个区域的所述密度与所述第一多个区域中的每一个区域的所述密度不同；并且其中将所述第二多个区域设置为非均匀结构。

而且，这里描述和说明了许多发明。该发明内容部分并非穷举本发明的范围。而且，该发明内容部分并非旨在限制本发明并且不应该按照这种方式进行解释。因而，尽管在该发明内容部分中描述和/或概括了某些方面和实施例，但是应该理解，本发明并非局限于这样的方面、实施例、描述和/或概括。实际上，根据下面的描述、说明和/或权利要求，与在本发明内容部分中提供的方面和实施例不同和/或类似的许多其它方面和实施例将变得显而易见。

此外，尽管在该发明内容部分中描述了各种特征、属性和优点和/或根据该发明部分而使各种特征、属性和优点变得明显，但是应该理解，不要求这样的特征、属性和优点，并且除非以其它方式表明，这样的特征、属性和优点不需要存在于本发明的方面和/或实施例中。

而且，通过下面的详细描述和附图，本发明的一个或者多个方面和/或实施例的各种目的、特征和/或优点将变得更加明显。然而应该理解，不要求任何这样的目的、特征和/或优点，并且除非以其它方式说明，这样的目的、特征和/或优点不需要存在于本发明的方面和/或实施例中。

应该理解，在该发明内容中描述但是没有在随后的权利要求中呈现的本发明的各方面和实施例被保留用于提供在一个或者多个分案/接续专利申请中。还应该理解，没有在该发明内容部分描述并且也没有在随后的权利要求中呈现的本发明的全部方面和/或实施例也被保留用于提供在一个或者多个分案/接续专利申请中。

附图说明

在下面的详细描述过程中，将参考附图。这些附图示出了本发明的不同方面，并且在适当的时候，以类似方式标注不同附图中说明相似结构、部件、材料和/或元件的附图标记。应理解，想到了除那些具体示出之外的结构、部件、材料和/或元件的各种组合，并且它们在本发明的范围之内。

图1A是一种类型的微机电谐振器装置处于静止状态下的示意性俯视图；

图1B是图1A的谐振器处于第一振动状态下的示意性俯视图，其中与所述静止状态相比，所述谐振器沿第一轴收缩并且沿第二轴膨胀；

图1C是图1A的谐振器处于第二振动状态下的示意性俯视图，其中与所述静止状态相比，所述谐振器沿第一轴膨胀并且沿第二轴收缩；

图2A是根据本发明某些方面处于静止状态下的谐振器的示意性俯视图；

图2B是图2A的谐振器处于静止状态下的谐振器块的部分的放大的示意性俯视图；